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悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法技术

技术编号:41727201 阅读:22 留言:0更新日期:2024-06-19 12:50
本发明专利技术涉及一种悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,属于生物传感器技术领域,所述方法包括:制备阵列碳纳米管,并提供一衬底,在衬底上方的两侧位置处分别形成第一源极和第一漏极;使得阵列碳纳米管悬浮在第一源极和第一漏极之间;形成第二源极和第二漏极;形成高K介质层;在覆盖裸露的阵列碳纳米管的高K介质层表面沉积金纳米颗粒层,在金纳米颗粒层的表面形成DNA探针。本申请提供的方法,极大地减小了来自背底材料的散射,从而显著降低了背底噪声的影响,提高生物传感器的信噪比,在形成高K介质层后对阵列碳纳米管形成全包覆,显著提高栅极控制能力;可以实现对aM级别的浓度的目标物的高灵敏度检测,并呈现出优异的线性度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及生物传感器,尤其涉及一种悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法


技术介绍

1、随着社会对健康问题的日益关注,生物传感器在临床检验、疾病治疗和食品安全领域正受到日益增长的需求。当前,基因测序及编辑、肿瘤细胞标记与追踪,以及各种疾病标志物(如气体、激素、酶和神经递质等)的浓度检测等技术备受研究界关注,成为科学探索的热点。其中,针对神经递质多巴胺的光电传感系统、电化学传感器和电学传感器等研究不断涌现,取得了令人瞩目的进展。现有技术中主要通过网络碳纳米管生物传感器进行相应的生物分子的检测。

2、然而,网络碳纳米管生物传感器的迁移率、跨导较小,一定程度上阻碍了高灵敏度的测试;此外,网络碳纳米管生物传感器自身噪声较大,进一步使得其检测灵敏度降低。


技术实现思路

1、本专利技术意在提供一种悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,以解决现有技术中存在的不足,本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案来实现。

2、本专利技术提供的悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,其特征在于,在覆盖裸露的阵列碳纳米管(1)的高K介质层(5)表面沉积金纳米颗粒层(6)后,形成包覆裸露的高K介质层(5)的钝化层(7),以对第二源极(32)、第二漏极(42)进行钝化处理。

3.根据权利要求1所述的悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,其特征在于,第二源极(32)与其下方的第一源极(31)在垂直方向上对齐,第二漏极(42)与其下方的第一漏极(41)在垂直方向上对齐。

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【技术特征摘要】

1.一种悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,其特征在于,在覆盖裸露的阵列碳纳米管(1)的高k介质层(5)表面沉积金纳米颗粒层(6)后,形成包覆裸露的高k介质层(5)的钝化层(7),以对第二源极(32)、第二漏极(42)进行钝化处理。

3.根据权利要求1所述的悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,其特征在于,第二源极(32)与其下方的第一源极(31)在垂直方向上对齐,第二漏极(42)与其下方的第一漏极(41)在垂直方向上对齐。

4.根据权利要求1所述的悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法,其特征在于,通过电子束曝光工艺对第一源极(31)、第一漏极(41)以及阵列碳纳米管(1)进行曝光处理,在经过曝光处理的裸露的第一源极(31)上方、裸露的第一漏极(41)上方以及阵列碳纳米管(1)上方的部分区域上沉积金属材料,形成二源极(32)和第二漏极(42)。

【专利技术属性】
技术研发人员:刘海洋肖梦梦张志勇
申请(专利权)人:北京大学
类型:发明
国别省市:

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