一种表面增强拉曼基底及其制备方法技术

技术编号:41726543 阅读:16 留言:0更新日期:2024-06-19 12:49
本发明专利技术公开了一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于:在衬底上依次通过真空镀膜沉积金属银、二氧化硅和金属银,后经热处理0.5‑1h,待自然冷却到室温,然后再通过真空镀膜沉积金属金或者银,热处理1‑2h,自然降至室温,即完成基底的制备。该方法可以在硅片上制备无序自组装的金属纳米结构图案,实现直接高效大面积的制备高性能的SERS基底,其中样品的浓度检测限可以低至10<supgt;‑10</supgt;~10<supgt;‑12</supgt;M(mol/L),主要归结于最终所形成金属纳米结构内含有的高密度~10纳米的间隙(即“热点”密度高,其增强效率灵敏度越高)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面增强拉曼基底及其制备方法,属于微量物质检测领域。


技术介绍

1、目前,用于制备表面增强拉曼散射(surface-enhanced raman scattering,sers)基底的方法主要包括纳米颗粒的自组装、电化学沉积和光刻等技术。然而,这些方法在保持均一性和实现大规模生产方面都面临一些挑战。

2、申请公开号为cn117007573a的中国专利技术专利,公开了一种通过调控衬底浸润性差异来制备基于自组装贵金属纳米颗粒的sers基底,通过贵金属纳米颗粒浓缩富集并沉积于所述浸润性差异化图案的亲水区,形成表面增强拉曼热点,以实现sers光谱的灵敏、快速检测。但该基底加工工艺复杂,涉及具有浸润性差异填充物和柔性衬底的筛选,贵金属纳米颗粒的合成且制备效率低。所制备的sers基底虽然具有较高的灵敏度,但其结果的重现性较差(结构均一性差),且无法实现大面积(晶圆级尺寸)规模化制造;申请公开号为cn117030681a的中国专利技术专利,公开了一种基于贵金属膜沉积在硅纳米阵列的sers基底,通过在硅纳米阵列表面依次沉积金属薄膜与等离子刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于:在衬底上依次通过真空镀膜沉积金属银、二氧化硅和金属银,后经热处理0.5-1h,待自然冷却到室温,然后再通过真空镀膜沉积金属金或者银,热处理1-2h,自然降至室温,即完成基底的制备。

2.根据权利要求1所述的一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于:所述的衬底为硅片或玻璃片。

3.根据权利要求1所述的一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于:所述的依次通过真空镀膜沉积金属银、二氧化硅和金属银的具体方法为:依次通过真空镀膜沉积100至200纳米的金属银、50-100纳米的二氧化硅、以及8-14纳米的金属银。

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【技术特征摘要】

1.一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于:在衬底上依次通过真空镀膜沉积金属银、二氧化硅和金属银,后经热处理0.5-1h,待自然冷却到室温,然后再通过真空镀膜沉积金属金或者银,热处理1-2h,自然降至室温,即完成基底的制备。

2.根据权利要求1所述的一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于:所述的衬底为硅片或玻璃片。

3.根据权利要求1所述的一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于:所述的依次通过真空镀膜沉积金属银、二氧化硅和金属银的具体方法为:依次通过真空镀膜沉积100至200纳米的金属银、50-100纳米的二氧化硅、以及8-14纳米的金属银。

4.根据权利要求1所述的一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于:所...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗四海刘玉飞何敏刘玉乐
申请(专利权)人:贵州赛因斯科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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