【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(sce：short-channel effects)更容易发生
2、因此，为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(finfet)。finfet中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面mosfet相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好的抑制短...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述第一掩膜层以及位于所述隔离区的鳍部的步骤中，进一步去除部分厚度的所述衬底。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底的表面形成第一掩膜层的步骤包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述栅极结构为金属栅极。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述第一掩膜层以及位于所述隔离区的鳍部的步骤中，进一步去除部分厚度的所述衬底。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底的表面形成第一掩膜层的步骤包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述栅极结构为金属栅极。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属栅极包括：高k栅介质层、功函数层、栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂武涛，王英明，陈天锐，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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