一种基于In2O3纳米球敏感材料的三乙胺传感器及其制备方法技术

一种基于Au担载和Nd掺杂的In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米球敏感材料的三乙胺传感器及制备方法，属于半导体金属氧化物气体传感器技术领域。该传感器为旁热式结构，由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;陶瓷管衬底、涂覆在Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;陶瓷管外表面和金电极上的Au担载和Nd掺杂的In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米球敏感材料、置于Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;陶瓷管内的镍铬加热线圈组成。本发明专利技术中的材料合成过程容易，制得的三乙胺传感器体积小、制作工艺简单、成本低廉，适宜大批量生产。本发明专利技术中的气体传感器响应恢复速度快、稳定性好，对三乙胺具有良好的选择性，能够用于在复杂的环境中检测三乙胺气体，因此其在气体检测中具有非常高的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体金属氧化物气体传感器，具体涉及一种基于in2o3纳米球敏感材料的三乙胺传感器及其制备方法。

技术介绍

1、三乙胺(tea)是高度易燃、易爆、有毒的气体，对生物粘膜有强烈的刺激性，口服会腐蚀口腔、食道及胃。作为一种对人类呼吸道的强烈刺激物，当吸入过量的三乙胺气体时，它可以引起肺水肿甚至死亡。美国政府工业卫生学家会议建议的接触阈值为1ppm，三乙胺泄露问题可能会威胁到人们的生命财产安全。因此，研制具有良好选择性和快速响应的三乙胺气体传感器以实现对环境中三乙胺气体的高效检测，在环境保护和人类健康方面具有十分重要的意义。

2、在种类众多的气体传感器中，以半导体金属氧化物为敏感材料的电阻型气体传感器具有灵敏度高、稳定性高、选择性好、响应和恢复速度快、制作方法简单、成本较低等优点，是目前应用最广泛的气体传感器之一。

3、氧化铟(in2o3)是一种典型的n型半导体材料，常温下禁带宽度eg＝2.8ev。由于其高导电性和良好的催化活性，被广泛用于气敏材料，并且很多研究表明，in2o3在检测有毒有害气体方面发挥着重要的作用。已知半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于Au担载和Nd掺杂的In2O3纳米球敏感材料的三乙胺传感器，由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在Al2O3陶瓷管外表面和金电极上的敏感材料、置于Al2O3陶瓷管内的镍铬加热线圈组成；其特征在于：敏感材料为Au担载和Nd掺杂的In2O3纳米球敏感材料，且该敏感材料由如下步骤制备得到，

2.如权利要求1所述的一种基于Au担载和Nd掺杂的In2O3纳米球敏感材料的三乙胺传感器，其特征在于：Al2O3陶瓷管的内径为0.6～0.8mm，外径为1.0～1.5mm，长度为4～5mm；单个环形金电极的宽度为0.4～0.5mm，两条金电极的间距...

【技术特征摘要】

1.一种基于au担载和nd掺杂的in2o3纳米球敏感材料的三乙胺传感器，由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的al2o3陶瓷管衬底、涂覆在al2o3陶瓷管外表面和金电极上的敏感材料、置于al2o3陶瓷管内的镍铬加热线圈组成；其特征在于：敏感材料为au担载和nd掺杂的in2o3纳米球敏感材料，且该敏感材料由如下步骤制备得到，

2.如权利要求1所述的一种基于au担载和nd掺杂的in2o3纳米球敏感材料的三乙胺传感器，其特征在于：al2o3陶瓷管的内径...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢革宇，张言，揣晓红，周志杰，胡昌华，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：