【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体,具体涉及一种研磨液供给组件、装置及化学机械抛光系统。
技术介绍
1、随着半导体工艺制造的技术节点的逐渐进步,对于cmp(chemical mechanicalpolishing,化学机械抛光)技术,尤其是金属(例如:金属钨或金属铜)膜层的cmp技术提出了更高的要求。其中,不同待抛光膜层需要使用不同选择比的研磨液来进行cmp技术,而调整研磨液选择比最方便的方法便是调整研磨液中氧化剂的浓度参数。
2、目前,大部分fab(fabrication,晶圆制造厂)中所使用的研磨液供应系统(slurrydispense system,sds)通常包括研磨液储罐和一条供应管路,此研磨液储罐中研磨液的氧化剂浓度为固定配比,具体通过研磨液储罐中定容器来达到固定氧化剂配比的目的。
3、其中,处于对品质管控和成本的原因,当前针对不同待抛光膜层,如果需要改动sds中研磨液的氧化剂配比,需要先切断该sds的供应,将系统整个供应管路中的研磨液用去离子水冲洗干净,再更换研磨液储罐中氧化剂的定容器,使用适合改动后氧化剂配比的定容
...【技术保护点】
1.一种研磨液供给组件,用于化学机械抛光系统,所述化学机械抛光系统还包括用于研磨待抛光半导体结构的研磨垫,其特征在于,所述研磨液供给组件包括:
2.根据权利要求1所述的研磨液供给组件,其特征在于,所述化学机械抛光系统所需研磨液中氧化剂的浓度范围为A至B,其中,0≤A<B;
3.根据权利要求2所述的研磨液供给组件,其特征在于,所述流量调节件包括:
4.根据权利要求3所述的研磨液供给组件,其特征在于,所述研磨液供给组件还包括浓度检测器,被配置在所述研磨垫处,所述浓度检测器用于检测所述研磨垫处的研磨液中氧化剂的浓度;
5.根据
...【技术特征摘要】
1.一种研磨液供给组件,用于化学机械抛光系统,所述化学机械抛光系统还包括用于研磨待抛光半导体结构的研磨垫,其特征在于,所述研磨液供给组件包括:
2.根据权利要求1所述的研磨液供给组件,其特征在于,所述化学机械抛光系统所需研磨液中氧化剂的浓度范围为a至b,其中,0≤a<b;
3.根据权利要求2所述的研磨液供给组件,其特征在于,所述流量调节件包括:
4.根据权利要求3所述的研磨液供给组件,其特征在于,所述研磨液供给组件还包括浓度检测器,被配置在所述研磨垫处,所述浓度检测器用于检测所述研磨垫处的研磨液中氧化剂的浓度;
5.根据权利要求3所述的研磨液供给组件,其特征在于,所述出液管道具有装配段和混合段,所述第一流量调节阀和所述第二流量调节阀位于所述装配段内且并排设置,所述第一流量调节阀、所述第二流量调节阀和所述装配段...
【专利技术属性】
技术研发人员:解超,
申请(专利权)人:深圳市昇维旭技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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