【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子封装，尤其涉及铜基复合材料及其制备方法、pcb、集成电路、电子设备。
技术介绍
1、由于金属铜具有良好的导电导热特性，以及成熟的制备工艺。因此，金属铜常作为芯片内后道金属互连或者芯片间互连线的材料。
2、金属铜作为互连线材料的缺点也较为明显。第一、金属铜的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，cte)较大，导致金属铜具有较大的体积涨缩。第二、在同样的电流密度下，铜与其他类型的金属相比的电迁移性能问题更为明显。
3、如何降低互连线所采用材料的cte及电迁移性能成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种铜基复合材料及其制备方法、pcb、集成电路、电子设备，以改善铜基复合材料的体积涨缩及电迁移性能。
2、本申请实施例第一方面提供一种铜基复合材料，包括：基体相和第二相，基体相包括晶体铜，第二相包括分布于晶体铜晶粒内的第一材料，第一材料至少包括金属化合物，金属化合物包含的金属包括金属铜以外
【技术保护点】
1.一种铜基复合材料，其特征在于，包括：基体相和第二相，所述基体相包括晶体铜，所述第二相包括分布于所述晶体铜晶粒内的第一材料，所述第一材料至少包括金属化合物，所述金属化合物包含的金属包括金属铜以外的金属。
2.根据权利要求1所述的铜基复合材料，其特征在于，所述金属化合物包括金属氧化物，和/或，金属碳化物。
3.根据权利要求1所述的铜基复合材料，其特征在于，如果所述金属化合物包括金属氧化物，所述金属铜以外的金属的氧结合能力大于所述金属铜的氧结合能力。
4.根据权利要求1～3任一项所述的铜基复合材料，其特征在于，所述第二相还包括：第二材...
【技术特征摘要】
1.一种铜基复合材料，其特征在于，包括：基体相和第二相，所述基体相包括晶体铜，所述第二相包括分布于所述晶体铜晶粒内的第一材料，所述第一材料至少包括金属化合物，所述金属化合物包含的金属包括金属铜以外的金属。
2.根据权利要求1所述的铜基复合材料，其特征在于，所述金属化合物包括金属氧化物，和/或，金属碳化物。
3.根据权利要求1所述的铜基复合材料，其特征在于，如果所述金属化合物包括金属氧化物，所述金属铜以外的金属的氧结合能力大于所述金属铜的氧结合能力。
4.根据权利要求1～3任一项所述的铜基复合材料，其特征在于，所述第二相还包括：第二材料；所述第二材料分布于所述晶体铜的晶界处，所述第二材料包括所述金属化合物；
5.根据权利要求1～3任一项所述的铜基复合材料，其特征在于，所述第二相还包括：第二材料；所述第二材料分布于所述晶体铜的晶界处，所述第二材料包括：石墨烯、纳米陶瓷颗粒。
6.根据权利要求1～5任一项所述的铜基复合材料，其特征在于，所述金属氧化物包括：三氧化二铝、氧化镁。
7.根据权利要求1～6任一项所述的铜基复合材料，其特征在于，所述第一材料还包括：所述金属铜以外的金属。
8.一种铜基复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述处理所述金属的步骤具体为：
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述处理所述金属的步骤具体为：
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述电镀复合电镀液的步...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晨光，张师伟，景蔚亮，杜明华，刘曙光，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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