基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器制造技术

技术编号:4170960 阅读:351 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种电器技术领域的基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器,包括:框架,设于框架内的双稳态梁、压电悬臂梁、永磁铁、软磁铁,其特征在于,双稳态梁的两端均固定于框架上,永磁铁附着于双稳态梁上,压电悬臂梁的一端固定于框架上,软磁铁设置于压电悬臂梁上。本发明专利技术采用双稳态升频结构,使压电换能元件在低频振动环境下获得较大的输出功率,与现有的MEMS压电能量采集器相比,它不但结构简单,制作容易,体积减小,并且它可运行于低频环境中,且可在较宽的环境振动频率范围内输出稳定的功率。

MEMS broadband piezoelectric energy harvester based on bistable frequency rise structure

The present invention relates to the technical field of electric appliances MEMS broadband bistable ascending frequency piezoelectric energy harvester, which is based on a framework of bistable piezoelectric cantilever beam, and the permanent magnet and soft magnets are arranged on the frame, which is characterized in that both ends of the bistable beams are fixed on the frame, the permanent magnet attached to the bistable state beam, one end of the piezoelectric cantilever fixed on the frame and the soft magnet is arranged on the piezoelectric cantilever beam. The invention adopts a double stable ascending frequency structure, the piezoelectric transducer element to obtain larger output power in low frequency vibration environment, compared with the existing MEMS piezoelectric energy harvester, it not only has the advantages of simple structure, easy fabrication, volume reduction, and it can operate in low frequency power environment, and can output stable in vibration environment a wide frequency range.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种能源
的装置,具体是一种基于双稳态升频结构 的MEMS宽频压电能量采集器。
技术介绍
微机电系统(MEMS: Micro-Electro-Mechanical Systems)是在微电子技术基 础上发展起来的集微型机械、微传感器、微执行器、信号处理、智能控制于一体 的一项新兴的研究领域。随着无线传感器网络、嵌入式智能结构和可穿戴式健康 监测等功耗低、独立工作系统的迅速发展,对长寿命的独立电源供应技术的需求 越来越强烈。目前,环境振动能量采集技术是解决以上问题的有效方法。以压电 材料的压电效应作为换能基础设计制作的微型压电发电装置因具备体积小,能量 密度高,寿命长,可与MEMS加工工艺兼容等优点,因而获得了广泛的关注。MEMS压电能量采集器的工作原理是基于压电材料的正压电效应,其正压电效 应是将机械能转化为电能,当外力作用到压电元件上并引起材料发生变形,材料 内部正、负束缚电荷之间的距离变小,极化强度也变小,导致原来吸附在电极上 的自由电荷,有一部分被释放,而出现放电现象。所产生的电能依赖于外部环境 振动频率,当压电能量采集器的系统频率与外部振动频率相匹配产生共振时,将 输出最大功率,但是,当压电能量采集器的系统频率偏离外部振动频率时,输出 的功率将减少。利用MEMS技术研制的压电式振动能量收集器,由于尺寸微小其固有频率较高, 通常远高于环境振动频率。自然环境振动频率一般小于1000HZ范围内,而且主要 集中在小于100Hz的范围内。因此,目前的MEMS能量采集技术还无法实现在低频 环境下(小于100Hz)的能量采集。经对现有技术文献的检索发现,Marco Ferrari, Vittorio Ferrari等在 《Sensors and Actuators A》142 ( 2008 ) 329-335撰文"Piezoelectric multifrequency energy converter for power harvesting in autonomous压电能量收集器"《传感器与执行器A》)。 该文中提及到的实现频率匹配的方法是采用多个不同自然频率的双晶片压电悬臂 梁组成的阵列实现更宽的等效频带。但是,用这种方法一方面增大了压电能量采 集器的结构尺寸,而且使悬臂梁的制造过程变得复杂。
技术实现思路
本专利技术目的在于克服现有技术的不足,提出一种基于双稳态升频结构的 MEMS宽频压电能量采集器,使压电换能元件在低频振动环境下获得较大的输出 功率,以解决传统的MEMS压电能量采集器工作频带窄、固有频率高等问题。本专利技术是通过以下技术方案实现的,本专利技术包括框架和设于框架内的双稳 态梁、压电悬臂梁、永磁铁、软磁铁,双稳态梁的两端均固支于框架上,永磁铁 附着于双稳态梁上,压电悬臂梁的一端固定于框架上,软磁铁设置于压电悬臂梁 上。所述双稳态梁的长度比框架内部的宽度要长,双稳态梁水平放置,且双稳态 梁屈曲于框架内。所述双稳态梁的两端均固支于框架上。所述压电悬臂梁的一端固支于框架上,压电悬臂梁的另一端悬空。 所述软磁铁设于压电悬臂梁的悬空端的上表面。 所述永磁铁附着于双稳态梁的下表面的中部。 所述永磁铁与软磁铁的中心轴线相同。所述压电悬臂梁,包括三层,中间层为金属层,上层和下层均为压电层。上层压电层和下层压电层上均覆盖有电极。上层压电层电极和下层压电层电极串联连接。本专利技术的工作原理为双稳态梁结构长度比框架内部的宽度要长,双稳态梁 结构在框架内部受轴向力作用下发生屈曲,并稳定平衡放置于框架内部,此时为 双稳态梁的第一个稳态位置。当环境振动作用于双稳态梁上的外界横向力增大到 一定值时,双稳态梁向下运动稳定在另一个状态,此时为双稳态梁的第二个稳态 位置。当把本专利技术放置于环境振动中,在一定的振动加速度条件下,双稳态梁可 在第一稳态和第二稳态间相互切换。当双稳态梁从第一稳态位置转为第二稳态位 置时,双稳态梁上的永磁铁与压电悬臂梁上的软磁铁之间的距离将减少,永磁铁和软磁铁之间的磁场力增大,会克服压电悬臂梁内部的弹性变形力而吸引压电悬 臂梁上的软磁铁,使压电悬臂梁向上弯曲,且悬臂梁内部的弹性变形力会随着悬 臂梁向上运动而不断增大。随后,由于外界环境的振动,双稳态梁将从第二个稳 态位置切换到第一个稳态位置,此时,永磁铁和软磁铁间的距离增大,相互间的 磁场力较小,远小于压电悬臂梁内部弹性变形力,压电悬臂梁在内部弹性变形力 的作用下将向下运动,从而导致压电悬臂梁以自身的固有频率作机械阻尼振动。 因压电悬臂梁的固有频率远高于100HZ内的环境振动频率,从而将外界环境中的 低频振动转化为压电悬臂梁的高频振动。由于存在阻尼,压电悬臂梁的振动幅度 将逐渐减少,但在某一时刻,当双稳态梁再一次切换到第二稳态位置时,永磁铁 将会再次吸引软磁铁。因此,只要外界振动加速度足够提供双稳态梁稳态转换所 需的临界力,且压电悬臂梁与双稳态梁之间垂直方向距离适当,压电悬臂梁就能 够不时获得足够的弯曲,并作高频的机械阻尼振动,而与外界的环境振动频率无 关,因而实现了低频环境下获得较大的输出功率。本专利技术采用双稳态升频结构,使MEMS压电换能元件在低频振动环境下获得输 出功率,与现有的MEMS压电能量采集器相比,它不但结构简单,制作容易,体积 减小,并且它可运行于低频环境中,且可在较宽的环境振动频率范围内输出稳定 的功率。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术中的双稳态梁及其永磁铁的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的实施例作详细说明本实施例在以本专利技术技术方案 为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本专利技术的保护 范围不限于下述的实施例。如图l所示,本实施例包括框架l、双稳态梁2、永磁铁3、压电悬臂梁4 和软磁铁5,双稳态梁2、永磁铁3、压电悬臂梁4和软磁铁5均设置于框架1内 部。永磁铁3粘附于双稳态梁2的下表面的中间位置。压电悬臂梁4是由压电材 料制成,压电悬臂梁4包括三层,中间层为金属层,上层和下层均为压电层,上 层压电层和下层压电层上均覆盖有电极,上层压电层电极和下层压电层电极串联 连接。压电悬臂梁4的一端固定于框架1上,压电悬臂梁4的另一端悬空。软磁铁5 粘附于压电悬臂梁4的上表面,为了使永磁体与软磁体间的磁场力尽可能大,软 磁铁5的位置在垂直方向上与永磁铁3对齐,且中心轴线相同。如图l、图2所示,本实施例双稳态梁2是由微梁结构制成,微梁结构的长度 比框架1内空隙的宽度要长,微梁结构在框架1内水平放置,且其两端与框架内 部固支在一起,在轴向力作用下微梁结构发生屈曲,构成双稳态梁2。双稳态梁2两端均固支于框架1内部,并在轴向力作用下发生屈曲,稳定平 衡放置于框架1内部,此时为双稳态梁2的第一个稳态位置。当外界振动加速度 大于某个值时,也即作用于双稳态梁2上的外界横向力增大到一定值时,双稳态 梁将跳转另一稳态位置,设于双稳态梁2下表面中部的永磁铁3会与设置于压电 悬臂梁4上的软磁铁5相互吸引。双稳态梁2与压电悬臂梁4垂直方向上的距离, 应设计保证双稳态梁2上的永磁铁3在梁的第二个稳定状态时能够吸引压电悬臂 梁4上的软磁铁5,且应保证永磁铁3和软磁铁5不会相互接触吸合。本实施本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器,包括:框架和设于框架内的双稳态梁、压电悬臂梁、永磁铁、软磁铁,其特征在于,双稳态梁的两端均固定于框架上,永磁铁附着于双稳态梁上,压电悬臂梁的一端固定于框架上,软磁铁设置于压电悬臂梁上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘景全唐刚杨春生芮岳峰闫肖肖
申请(专利权)人:上海交通大学
类型:发明
国别省市:31[]

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