【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学机械抛光，具体涉及一种用于tsv cu的化学机械抛光组合物及其应用。
技术介绍
1、为了适应大规模集成电路的发展，打破摩尔定律的约束，进一步缩小芯片的尺寸和成本，硅通孔(through silicon via,tsv)封装技术应运而生。tsv通过硅晶圆或芯片之间的垂直互联，实现多个器件的电气连接。tsv可以使芯片在三维方向上具有最高的堆叠密度，芯片之间的互连最短，外部尺寸最小，从而大大提高芯片的信号传输速度，降低功耗，被誉为第四代封装技术。
2、cu的电阻率比al低(cu的电阻率为1.67μω·cm，al的电阻率为2.65μω·cm)，并且cu有着更强的抗电迁移性能，因此cu作为互联金属在集成电路中得到了广泛的应用。tsv通孔内以金属cu为导电材料，由于一般tsv的孔比较深，在电镀沉积cu的过程其表面沉积了约0.5-60μm的非均匀铜膜，需要超高速抛光速率去除，一般为20000-40000a/min，只留下通孔中的铜，形成互连结构。这对晶圆抛光质量和一致性提出了更高的要求，因此，tsv铜膜的全局平面化是芯片...
【技术保护点】
1.一种用于TSV Cu的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述化学机械抛光组合物包括：去离子水、磨料、络合剂、抑制剂、氧化剂、pH调节剂和大分子添加剂，其中所述大分子添加剂为改性壳聚糖类添加剂；
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述磨料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆粒子中的一种或多种，优选为二氧化硅；优选地，所述磨料的粒径为50-150nm，优选为70-120nm。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述络合剂为一种或多种有机酸；优选地，所述有机酸选自丙二酸、甲酸、乙酸、丁二酸、柠檬酸、甘氨酸中的一种...
【技术特征摘要】
1.一种用于tsv cu的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述化学机械抛光组合物包括：去离子水、磨料、络合剂、抑制剂、氧化剂、ph调节剂和大分子添加剂，其中所述大分子添加剂为改性壳聚糖类添加剂；
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述磨料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆粒子中的一种或多种，优选为二氧化硅；优选地，所述磨料的粒径为50-150nm，优选为70-120nm。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述络合剂为一种或多种有机酸；优选地，所述有机酸选自丙二酸、甲酸、乙酸、丁二酸、柠檬酸、甘氨酸中的一种或多种，优选为甘氨酸或丙二酸。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述抑制剂选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、1,2,4-三氮唑、甲基-1,2,4-三氮唑、四氮唑、咪唑、嘧啶、吡唑中的至少任一种；优选为苯并三氮唑或...
【专利技术属性】
技术研发人员：卞鹏程，卫旻嵩，李国庆，王庆伟，崔晓坤，王永东，徐贺，王瑞芹，韩翠婷，
申请(专利权)人：万华化学集团电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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