一种兼具WC去除和蚀刻残留物清洁的组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种兼具WC去除和蚀刻残留物清洁的组合物，组合物包括有机溶剂、氧化剂、含氟物质、羧酸盐、有机羧酸、腐蚀抑制剂、氨、钝化剂和余量的水。本发明专利技术的蚀刻液用于先进铜制程中金属硬掩模材料WC的去除和蚀刻残留物的清洁，相对于AlOx、Low‑Κ材料和含Cu和Co的材料具有优异的兼容保护性，此外本发明专利技术的组合物还有较长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种wc去除和蚀刻残留物清洁的组合物，属于半导体材料蚀刻领域。

技术介绍

1、随着半导体工艺制程的节点不断发展和进步，对线宽的要求越来越高。当cd小于5nm时，在进行图案转移时，金属硬掩膜材料tin的耐蚀刻和保持图案的最佳工艺尺寸性能不能满足5nm制程技术需求，因此需要一种更耐干法刻蚀的硬掩膜材料进行图案转移。金属硬掩模材料碳化钨wc以其高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性、优异的图案保持和轮廓控制能力，以及对low-κ材料有高的选择蚀刻性在众多材料中脱颖而出。在进行等离子体蚀刻图形转移时，蚀刻后的残留物通常沉积在beol的结构上，如果不去除就可能妨碍到后面沉积的材料与基底接触的稳定性。因此需要在蚀刻图形转移后同时去除wc和蚀刻残留物，此外还需要对其它金属互连材料、氧化铝(alox)和low-κ材料进行保护。

2、因此开发一款同时去除wc和蚀刻残留物，同时对其它金属互连材料、alox和low-k材料具有优异兼容性的药液非常具有意义。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是开发一款能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种兼具WC去除和蚀刻残留物清洁的组合物，其特征在于，包括按质量分数计的以下组分：5%-20%有机溶剂、1%-5%的氧化剂、0.1%-5%的含氟物质、0.1%-10%的羧酸盐、0.1%-5.0%的有机羧酸、0.1%-5%的腐蚀抑制剂、0.3%-10.3%的pH调节剂、0.1%-1%的钝化剂和余量的水，各组分质量分数之和为100%。

2.如权利要求1所述的兼具WC去除和蚀刻残留物清洁的组合物，其特征在于，所述的有机溶剂为乙腈、环丁砜或二甲基乙酰胺中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的兼具WC去除和蚀刻残留物清洁的组合物，其特征在于，所述的氧化剂为硝酸、硝酸铵、...

【技术特征摘要】

1.一种兼具wc去除和蚀刻残留物清洁的组合物，其特征在于，包括按质量分数计的以下组分：5%-20%有机溶剂、1%-5%的氧化剂、0.1%-5%的含氟物质、0.1%-10%的羧酸盐、0.1%-5.0%的有机羧酸、0.1%-5%的腐蚀抑制剂、0.3%-10.3%的ph调节剂、0.1%-1%的钝化剂和余量的水，各组分质量分数之和为100%。

2.如权利要求1所述的兼具wc去除和蚀刻残留物清洁的组合物，其特征在于，所述的有机溶剂为乙腈、环丁砜或二甲基乙酰胺中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的兼具wc去除和蚀刻残留物清洁的组合物，其特征在于，所述的氧化剂为硝酸、硝酸铵、硝酸钾或硝酸钠中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的兼具wc去除和蚀刻残留物清洁的组合物，其特征在于，所述含氟物质为氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、四甲基氟化铵中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的兼具wc去除和蚀刻残留物清洁的组合物，其特征在于，所述的羧酸盐为甲酸铵、乙酸铵、草酸铵、乳酸铵、酒石酸铵或柠檬酸三铵中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的兼具wc去除和蚀刻残留物清洁的组...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶瑞，谢建，贺兆波，吴政，王亮，孟牧麟，刘春丽，彭秋桂，汪凡杰，李宇，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：