【技术实现步骤摘要】
本申请各实施例属半导体，尤其涉及一种新型沟槽igbt结构。
技术介绍
1、现有技术中的绝缘栅双极晶体管（简称：igbt），如图1所示，在图1中栅极沟槽04中栅极多晶硅均通过栅极接触孔引出栅极，所以栅极接触孔数量较多，所以栅极电容较大，所以器件的开通损耗较大导致器件开通速度变慢。
技术实现思路
1、为了解决或缓解现有技术中的问题。因此提出了一种新型沟槽igbt结构，包括：衬底、第一发射极沟槽和第二发射极沟槽；
2、所述igbt结构通过第一发射极接触孔、第二发射极接触孔和第三发射极接触孔中填充的第一金属引出发射极；
3、所述第一发射极沟槽和第二发射极沟槽设置在衬底中，所述衬底从上到下设置有第一注入区和第二注入区，部分所述第一注入区中设置有第三注入区，所述第一发射极接触孔从上到下贯穿介质层和第三注入区直到第一发射极接触孔抵达第一注入区，所述第二发射极接触孔从上到下贯穿介质层直到第二发射极接触孔抵达第一发射极沟槽中的多晶硅，所述第三发射极接触孔从上到下贯穿介质层直到第三发射...
【技术保护点】
1.一种新型沟槽IGBT结构，其特征在于，包括：衬底、第一发射极沟槽和第二发射极沟槽；
2.如权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT结构，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，第二掺杂类型为P型。
3.如权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT结构，其特征在于，所述第一发射极沟槽和第二发射极沟槽的深度相同。
【技术特征摘要】
1.一种新型沟槽igbt结构，其特征在于，包括：衬底、第一发射极沟槽和第二发射极沟槽；
2.如权利要求1所述的一种新型沟槽igbt结构，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张峰，布凡，诸舜杰，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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