一种具有高雪崩耐量的SGT芯片制造技术

本申请实施例提供了一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，由于源极沟槽中的多晶硅与栅极沟槽中的多晶硅位于不同的沟槽中，相比现有技术中的传统结构SGT，本申请实施例可以在源极沟槽中的多晶硅上增加与源极引出区金属相接的接触孔，所以可以减小电位差，并使电位更加均匀，避免因为电位差产生雪崩点，导致电流集中，从而提高器件的EAS性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请各实施例属半导体，尤其涉及一种具有高雪崩耐量的sgt芯片。

技术介绍

1、传统屏蔽栅沟槽(简称：sgt)芯片，栅极多晶硅和源极多晶硅位于同一个沟槽中，栅极多晶硅位于沟槽上方，源极多晶硅位于沟槽下方，传统sgt结构中，当芯片面积较大时，不同区域源极沟槽的多晶硅与源极引出区金属之间存在不同的电位差，当电位差较大时，会使各区域雪崩击穿存在差异，影响器件的单脉冲雪崩能量(简称：eas)性能。

技术实现思路

1、为了解决或缓解现有技术中的问题。因此提出了一种具有高雪崩耐量的sgt芯片，包括：外延层、栅极沟槽和源极沟槽；

2、所述外延层设置在衬底上，所述栅极沟槽设置源极沟槽之间，所述源极沟槽和栅极沟槽的侧壁均生长有氧化层，且所述源极沟槽和栅极沟槽中均填充有多晶硅，所述源极沟槽和栅极沟槽底部延申至外延层中，且所述源极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度；

3、所述外延层从上表面往下依次设置有第一注入区和第二注入区，所述源极沟槽的多晶硅上设置有第一源极接触孔，所述栅极沟槽和源极沟槽之间设置有第二源极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，其特征在于，包括：外延层、栅极沟槽和源极沟槽；

2.如权利要求1所述的一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，其特征在于，所述栅极沟槽底部的氧化层的厚度比栅极沟槽侧面的氧化层厚度厚。

3.如权利要求1所述的一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，其特征在于，所述源极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度。

4.如权利要求1所述的一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，其特征在于，所述源极沟槽侧面和底部氧化层厚度相同。

5.如权利要求1所述的一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，其特征在于，所述源极沟槽侧面的氧化层厚度大于栅极沟槽侧面的氧化层...

【技术特征摘要】

1.一种具有高雪崩耐量的sgt芯片，其特征在于，包括：外延层、栅极沟槽和源极沟槽；

2.如权利要求1所述的一种具有高雪崩耐量的sgt芯片，其特征在于，所述栅极沟槽底部的氧化层的厚度比栅极沟槽侧面的氧化层厚度厚。

3.如权利要求1所述的一种具有高雪崩耐量的sgt芯片，其特征在于，所述源极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度。

4.如权利要求1所述的一种具有高雪崩耐量的sgt芯片，其特征在于，所述源极沟槽侧面和底部氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：布凡，董建新，薛华瑞，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：