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本申请实施例提供了一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，由于源极沟槽中的多晶硅与栅极沟槽中的多晶硅位于不同的沟槽中，相比现有技术中的传统结构SGT，本申请实施例可以在源极沟槽中的多晶硅上增加与源极引出区金属相接的接触孔，所以可以减小电位差，并使电...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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