一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路制造技术

本技术涉及一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，包括输入启动电路、升压自举电路、限制电路、耐高压NMOS管和DCDC芯片；所述输入启动电路、升压自举电路及限制电路均与耐高压NMOS管连接；所述限制电路和耐高压NMOS管均与DCDC芯片连接；所述输入启动电路用于拉高输入电压给与耐高压NMOS管的G极高电平；所述升压自举电路用于进一步抬高耐高压NMOS管G极的高电平；所述限制电路用于限制自举电压不超过耐高压NMOS管导通电压的最大值。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种耐高压脉冲冲击dcdc电源输入保护电路，属于电子产品的供电电源保护。

技术介绍

1、在工业、军工等行业，电源上经常存在各种杂波，可能影响产品电源电路的正常工作。因此产品电源电路设计时需要考虑到抗高压脉冲冲击。现有市面上的产品，基本就是通过自恢复保险丝，气体放电管和tvs管组合进行抗高压脉冲冲击输入，存在响应时间不够快，耐冲击能级不足等，可能导致后续电路击穿的缺陷。

技术实现思路

1、为了解决上述现有技术中存在的问题，本技术提供一种耐高压脉冲冲击dcdc电源输入保护电路。

2、本技术的技术方案如下：

3、一种耐高压脉冲冲击dcdc电源输入保护电路，包括输入启动电路、升压自举电路、限制电路、耐高压nmos管和dcdc芯片；所述输入启动电路、升压自举电路及限制电路均与耐高压nmos管连接；所述限制电路和耐高压nmos管均与dcdc芯片连接；所述输入启动电路用于拉高输入电压给与耐高压nmos管的g极高电平；所述升压自举电路用于进一步抬高耐高压nmos管g极的高电平；所述限制电路用于限制自举电压不超过耐高压nmos管导通电压的最大值。

4、优选地，所述输入启动电路包括肖特基二极管d1、电阻r1、电容c1、稳压管d2、稳压管d3和二极管d4；所述肖特基二极管d1的正极与电源连接，肖特基二极管d1负极与电阻r1的一端连接，所述电阻r1的另一端与电容c1的一端与稳压管d2的负极连接，所述电容c1的另一端与稳压管d2的正极连接；所述稳压管d3的正极与稳压管d2的负极连接，所述稳压管d3的负极与二极管d4的正极连接，所述二极管d4的负极与耐高压nmos管的g极连接。

5、优选地，所述升压自举电路包括电阻r5、电容c2、二极管d4和电容c3；所述电阻r5的一端与dcdc芯片的振荡控制脚sw连接，另一端与电容c2的一端、肖基特二极管d1的负极以及耐高压nmos管的d级连接，所述电容c2的另一端与二极管d4的正极连接；所述电容c3的一端与二极管d4的负极及耐高压nmos管的g级连接，另一端接地。

6、优选地，所述限制电路包括稳压管d5；所述稳压管d5的负极与耐高压nmos管的g级连接，所述稳压管d5的正极与耐高压nmos管的s级连接。

7、本技术具有如下有益效果：

8、1、本技术通过串联耐高压mos管将高压脉冲分压，让后级电路的电压保持在正常范围，从而有效保护后级芯片。

9、2、本技术利用dcdc的振荡脚加外围电路组成的自举电路，提高mos管g极电压，减小正常工作电压下mos管的导通损耗。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，其特征在于，包括输入启动电路、升压自举电路、限制电路、耐高压NMOS管和DCDC芯片；所述输入启动电路、升压自举电路及限制电路均与耐高压NMOS管连接；所述限制电路和耐高压NMOS管均与DCDC芯片连接；所述输入启动电路用于拉高输入电压给与耐高压NMOS管的G极高电平；所述升压自举电路用于进一步抬高耐高压NMOS管G极的高电平；所述限制电路用于限制自举电压不超过耐高压NMOS管导通电压的最大值。

2.根据权利要求1所述的一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，其特征在于，所述输入启动电路包括肖特基二极管D1、电阻R1、电容C1、稳压管D2、稳压管D3和二极管D4；所述肖特基二极管D1的正极与电源连接，肖特基二极管D1负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与电容C1的一端与稳压管D2的负极连接，所述电容C1的另一端与稳压管D2的正极连接；所述稳压管D3的正极与稳压管D2的负极连接，所述稳压管D3的负极与二极管D4的正极连接，所述二极管D4的负极与耐高压NMOS管的G极连接。

3.根据权利要求1所述的一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，其特征在于，所述升压自举电路包括电阻R5、电容C2、二极管D4和电容C3；所述电阻R5的一端与DCDC芯片的振荡控制脚SW连接，另一端与电容C2的一端、肖基特二极管D1的负极以及耐高压NMOS管的D级连接，所述电容C2的另一端与二极管D4的正极连接；所述电容C3的一端与二极管D4的负极及耐高压NMOS管的G级连接，另一端接地。

4.根据权利要求2所述的一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，其特征在于，所述限制电路包括稳压管D5；所述稳压管D5的负极与耐高压NMOS管的G级连接，所述稳压管D5的正极与耐高压NMOS管的S级连接。

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【技术特征摘要】

1.一种耐高压脉冲冲击dcdc电源输入保护电路，其特征在于，包括输入启动电路、升压自举电路、限制电路、耐高压nmos管和dcdc芯片；所述输入启动电路、升压自举电路及限制电路均与耐高压nmos管连接；所述限制电路和耐高压nmos管均与dcdc芯片连接；所述输入启动电路用于拉高输入电压给与耐高压nmos管的g极高电平；所述升压自举电路用于进一步抬高耐高压nmos管g极的高电平；所述限制电路用于限制自举电压不超过耐高压nmos管导通电压的最大值。

2.根据权利要求1所述的一种耐高压脉冲冲击dcdc电源输入保护电路，其特征在于，所述输入启动电路包括肖特基二极管d1、电阻r1、电容c1、稳压管d2、稳压管d3和二极管d4；所述肖特基二极管d1的正极与电源连接，肖特基二极管d1负极与电阻r1的一端连接，所述电阻r1的另一端与电容c1的一端与稳压管d2的负极连接，所述电容c1的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖晨，赵丹丹，
申请(专利权)人：福州东日信息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：