一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路制造技术

本发明专利技术涉及一种耐高压脉冲冲击电源输入保护电路，包括输入启动电路、升压自举电路、限制电路、耐高压NMOS管和DCDC芯片；所述输入启动电路、升压自举电路及限制电路均与耐高压NMOS管连接；所述限制电路和耐高压NMOS管均与DCDC芯片连接；所述输入启动电路用于拉高输入电压给与耐高压NMOS管的G极高电平；所述升压自举电路用于进一步抬高耐高压NMOS管G极的高电平；所述限制电路用于限制自举电压不超过耐高压NMOS管导通电压的最大值。高压NMOS管导通电压的最大值。高压NMOS管导通电压的最大值。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路


[0001]本专利技术涉及电子产品的供电电源保护
，具体为一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路。

技术介绍

[0002]在工业、军工等行业，电源上经常存在各种杂波，可能影响产品电源电路的正常工作。因此产品电源电路设计时需要考虑到抗高压脉冲冲击。现有市面上的产品，基本就是通过自恢复保险丝，气体放电管和TVS管组合进行抗高压脉冲冲击输入，存在响应时间不够快，耐冲击能级不足等，可能导致后续电路击穿的缺陷。

技术实现思路

[0003]为了解决上述现有技术中存在的问题，本专利技术提出了一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路。
[0004]本专利技术的技术方案如下：
[0005]一方面，本专利技术提出一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，包括输入启动电路、升压自举电路、限制电路、耐高压NMOS管和DCDC芯片；所述输入启动电路、升压自举电路及限制电路均与耐高压NMOS管连接；所述限制电路和耐高压NMOS管均与DCDC芯片连接；所述输入启动电路用于拉高输入电压给与耐高压NMOS管的G极高电平；所述升压自举电路用于进一步抬高耐高压NMOS管G极的高电平；所述限制电路用于限制自举电压不超过耐高压NMOS管导通电压的最大值。
[0006]作为优选实施方式，所述输入启动电路包括肖特基二极管D1、电阻R1、电容C1、稳压管D2、稳压管D3和二极管D4；所述肖特基二极管D1的正极与电源连接，肖特基二极管D1负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与电容C1的一端与稳压管D2的负极连接，所述电容C1的另一端与稳压管D2的正极连接；所述稳压管D3的正极与稳压管D2的负极连接，所述稳压管D3的负极与二极管D4的正极连接，所述二极管D4的负极与耐高压NMOS管的G极连接。
[0007]作为优选实施方式，所述升压自举电路包括电阻R5、电容C2、二极管D4和电容C3；所述电阻R5的一端与DCDC芯片的振荡控制脚SW连接，另一端与电容C2的一端、肖基特二极管D1的负极以及耐高压NMOS管的D级连接，所述电容C2的另一端与二极管D4的正极连接；所述电容C3的一端与二极管D4的负极及耐高压NMOS管的G级连接，另一端接地。
[0008]作为优选实施方式，所述限制电路包括稳压管D2、稳压管D3和稳压管D5；所述稳压管D5的负极与耐高压NMOS管的G级连接，所述稳压管D5的正极与耐高压NMOS管的S级连接。
[0009]另一方面，本专利技术提出一种如权利要求1
‑
4任一项所述的一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路的控制方法，具体步骤包括：
[0010]输入电压经过输入启动电路拉高电平后输入耐高压NMOS管的G极，导通耐高压NMOS管；
[0011]导通后耐高压NMOS管的S极给DCDC芯片供电，DCDC芯片通过升压自举电路继续抬高耐高压NMOS管的G极电压；
[0012]通过限制电路限制升压自举电路的电压不超过耐高压NMOS管的最大输入电压及DCDC芯片的最大输入电压；
[0013]当外部输入高压脉冲时，高压脉冲超过DCDC芯片耐压值的部分电压加载到耐高压NMOS管的DS极两端，保护DCDC芯片。
[0014]作为优选实施方式，所述输入启动电路包括肖特基二极管D1、电阻R1、电容C1、稳压管D2、稳压管D3和二极管D4；所述肖特基二极管D1的正极与电源连接，肖特基二极管D1负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与电容C1的一端与稳压管D2的负极连接，所述电容C1的另一端与稳压管D2的正极连接；所述稳压管D3的正极与稳压管D2的负极连接，所述稳压管D3的负极与二极管D4的正极连接，所述二极管D4的负极与耐高压NMOS管的G极连接。
[0015]作为优选实施方式，所述升压自举电路包括电阻R5、电容C2、二极管D4和电容C3；所述电阻R5的一端与DCDC芯片的振荡控制脚SW连接，另一端与电容C2的一端、肖基特二极管D1的负极以及耐高压NMOS管的D级连接，所述电容C2的另一端与二极管D4的正极连接；所述电容C3的一端与二极管D4的负极及耐高压NMOS管的G级连接，另一端接地。
[0016]作为优选实施方式，所述限制电路包括稳压管D2、稳压管D3和稳压管D5；所述稳压管D5的负极与耐高压NMOS管的G级连接，所述稳压管D5的正极与耐高压NMOS管的S级连接。
[0017]本专利技术具有如下有益效果：
[0018]1、本专利技术通过串联耐高压MOS管将高压脉冲分压，让后级电路的电压保持在正常范围，从而有效保护后级芯片。
[0019]2、本专利技术利用DCDC的振荡脚加外围电路组成的升压自举电路，提高MOS管G极电压，减小正常工作电压下MOS管的导通损耗。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的保护电路电路图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]应当理解，文中所使用的步骤编号仅是为了方便描述，不对作为对步骤执行先后顺序的限定。
[0023]应当理解，在本专利技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本专利技术。如在本专利技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0024]术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0025]术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0026]实施例一：
[0027]参见图1，一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，包括输入启动电路、升压自举电路、限制电路、耐高压NMOS管和DCDC芯片；所述输入启动电路、升压自举电路及限制电路均与耐高压NMOS管连接；所述限制电路和耐高压NMOS管均与DCDC芯片连接；所述输入启动电路用于拉高输入电压给与耐高压NMOS管的G极高电平；所述升压自举电路用于进一步抬高耐高压NMOS管G极的高电平；所述限制电路用于限制自举电压不超过耐高压NMOS管导通电压的最大值。
[0028]作为本实施例的优选实施方式，所述输入启动电路包括肖特基二极管D1、电阻R1、电容C1、稳压管D2、稳压管D3和二极管D4；所述肖特基二极管D1的正极与电源连接，肖特基二极管D1负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与电容C1的一端与稳压管D2的负极连接，所述电容C1的另一端与稳压管D2的正极连接；所述稳压管D3的正极与稳压管D2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，其特征在于，包括输入启动电路、升压自举电路、限制电路、耐高压NMOS管和DCDC芯片；所述输入启动电路、升压自举电路及限制电路均与耐高压NMOS管连接；所述限制电路和耐高压NMOS管均与DCDC芯片连接；所述输入启动电路用于拉高输入电压给与耐高压NMOS管的G极高电平；所述升压自举电路用于进一步抬高耐高压NMOS管G极的高电平；所述限制电路用于限制自举电压不超过耐高压NMOS管导通电压的最大值。2.根据权利要求1所述的一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，其特征在于，所述输入启动电路包括肖特基二极管D1、电阻R1、电容C1、稳压管D2、稳压管D3和二极管D4；所述肖特基二极管D1的正极与电源连接，肖特基二极管D1负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与电容C1的一端与稳压管D2的负极连接，所述电容C1的另一端与稳压管D2的正极连接；所述稳压管D3的正极与稳压管D2的负极连接，所述稳压管D3的负极与二极管D4的正极连接，所述二极管D4的负极与耐高压NMOS管的G极连接。3.根据权利要求1所述的一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，其特征在于，所述升压自举电路包括电阻R5、电容C2、二极管D4和电容C3；所述电阻R5的一端与DCDC芯片的振荡控制脚SW连接，另一端与电容C2的一端、肖基特二极管D1的负极以及耐高压NMOS管的D级连接，所述电容C2的另一端与二极管D4的正极连接；所述电容C3的一端与二极管D4的负极及耐高压NMOS管的G级连接，另一端接地。4.根据权利要求2所述的一种耐高压脉冲冲击DCDC电源输入保护电路，其特征在于，所述限制电路包括稳压管D2、稳压管D3和稳压管D5；所述稳压管D5的负极与耐高压NMOS管的G级连接，所述稳压管D5的正极与耐高压NMOS管的S级连接。5.一种如权利要求1
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4任一项所述的一种耐高压脉冲冲击D...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖晨，赵丹丹，
申请(专利权)人：福州东日信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：