【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体微结构加工，具体涉及一种用于在半导体结构中形成通孔的方法及系统。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的数据存储量以及更多的功能，晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向发展。如何在半导体结构上形成更小尺寸的通孔成为本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就是为了提供一种更小尺寸的通孔的形成方法。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种用于在半导体结构中形成通孔的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供基板和位于所述基板上的硬掩膜层；利用基于双层光刻胶的第一图案化工艺在所述硬掩膜层中形成沿第一方向延伸的多个第一凹槽；利用基于双层光刻胶的第二图案化工艺在所述硬掩膜层中形成沿第二方向延伸的多个第二凹槽，其中所述基板在所述多个第一凹槽与所述多个第二凹槽相交之处暴露；以及将所述硬掩膜层作为抗刻蚀掩膜对暴露的基板进行刻蚀，以在所述基板中形成多个通孔。
3、本专利技术还提供一种用于在半...
【技术保护点】
1.一种用于在半导体结构中形成通孔的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一者包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一者包括以下步骤：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一者包括以下步骤：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一者包括以下步骤：
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种用于在半导体结构中形成通孔的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一者包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一者包括以下步骤：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一者包括以下步骤：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一者包括以下步骤：
6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，用于所述第一图案化工艺的模板图案包括沿着所述第一方向延伸的多个线条，并且用于所述第二图案化工艺的模板图案包括沿着所述第二方向延伸的多个线条。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
10.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其特征在于，
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