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用于在半导体结构中形成通孔的方法及系统技术方案
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文档序号:41680711
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本发明涉及一种用于在半导体结构中形成通孔的方法及系统。该方法包括以下步骤:提供基板和位于所述基板上的硬掩膜层;利用第一图案化工艺在所述硬掩膜层中形成沿第一方向延伸的多个第一凹槽;利用第二图案化工艺在所述硬掩膜层中形成沿第二方向延伸的多个第二...
该专利属于张江国家实验室所有,仅供学习研究参考,未经过张江国家实验室授权不得商用。
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