一种GaSb单晶电池表面改性的方法技术

本申请公开了一种GaSb单晶电池表面改性的方法，所述方法至少包括：采用原子层沉积法在GaSb单晶电池表面循环制备TiO<subgt;2</subgt;薄膜；所述TiO<subgt;2</subgt;薄膜具有三角形形貌。本发明专利技术通过ALD技术对GaSb单晶电池进行表面改性后，GaSb单晶电池表面由于反射而损失的部分光子可以再被反射回GaSb表面，相当于减小了反射率，减小了入射光的能量损失，从而实现对电池转换效率的提高。该工艺可用于多种不同金属氧化物对GaSb单晶电池的表面改性方法，将改性后的GaSb单晶电池用于热光伏系统之中可以有效提升电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种gasb单晶电池表面改性的方法，属于太阳能电池、热光伏电池。

技术介绍

1、gasb在ⅲ-ⅴ族化合物中占有重要的地位，其具有禁带宽度窄，光谱响应截止波长长，红外特征明显等特点，良好的性质使得其广泛应用于医疗、通讯、能源等领域器件的制造。但在其应用于热光伏系统之中面临着电池输出效率有待提高的问题，在众多电池改性方法之中，减反射膜改性对于电池光吸收效率的提高一直是研究的热点方向。

2、原子层沉积(ald)是一种适合于研制最新的和前沿性的产品的薄膜制备技术。其具有能真正在纳米尺度上精确控制薄膜厚度、能实现高质量的表面钝化和减反射层并具有高重复性和可拓展性，将其应用于gasb单晶电池改性过程中，通过化学气相脉冲前驱体在表面依次发生化学反应从而制备得到具有减小光的反射率的薄膜结构，该技术具有可控制表面薄膜形貌，实现表面薄膜的均匀性生长等优点。

3、gasb表面改性的方法虽然已有多篇报道，但由于gasb单晶材料在热光伏领域的巨大作用，且其集成的gasb单晶电池用于热光伏系统之中的效率亟待提高，因此，针对gasb单晶电池而开发的原子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaSb单晶电池表面改性的方法，其特征在于，所述方法至少包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TiO2薄膜的制备过程中的钛前驱体选自钛酸四丁酯、TiC14、异丙醇钛中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原子层沉积法过程中，氧源选自臭氧、O2、乙醇中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TiO2薄膜的制备过程中先通入钛前驱体再通入氧源。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通入钛前驱体的脉冲时间为0.1～4s。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种gasb单晶电池表面改性的方法，其特征在于，所述方法至少包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述tio2薄膜的制备过程中的钛前驱体选自钛酸四丁酯、tic14、异丙醇钛中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原子层沉积法过程中，氧源选自臭氧、o2、乙醇中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述tio2薄膜的制备过程中先通入钛前驱体再通入氧源。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通入钛前驱体的脉冲时间为0.1～4s。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢奎，张杰，叶灵婷，程方圆，
申请(专利权)人：先进能源科学与技术广东省实验室，
类型：发明
国别省市：