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一种GaSb单晶电池表面改性的方法技术
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文档序号:41676145
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本申请公开了一种GaSb单晶电池表面改性的方法,所述方法至少包括:采用原子层沉积法在GaSb单晶电池表面循环制备TiO<subgt;2</subgt;薄膜;所述TiO<subgt;2</subgt;薄膜具有三角形形貌...
该专利属于先进能源科学与技术广东省实验室所有,仅供学习研究参考,未经过先进能源科学与技术广东省实验室授权不得商用。
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