【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜沉积，涉及一种用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料。理论上，将两种或两种会上的气态原材料导入到一个反应室内，使它们之间互相发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。
2、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)技术是在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
3、化学气相沉积设备(cvd)与物理气相沉积设备(pvd)内部均设有真空的沉积腔室。加工过程中，在随时用肉眼确认真空的沉积腔室内部工艺进展的同时，需要对真空的沉积腔室的腔内进行压力测量，从而能够提高工艺控制的技术效果。
...【技术保护点】
1.一种用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
4.如权利要求2或3所述的用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述的用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
6.如权利要求2或3所述的用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
7.如权利要求2或3所述的用于半导体处理设备的腔室的...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
4.如权利要求2或3所述的用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，其特征在于，
5.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋秀静，车东壹，金洙千，河南，李东昊，金官希，黄领务，李俊范，金素英，黄允净，金馨允，金允浩，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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