【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，特别涉及化学气相沉积炉管的清洗工艺及具有清洗功能的炉管。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，机台的保养清洗是非常重要的一个环节。在化学气相沉积工艺中，反应气体源硅烷以气态形式进入到反应腔体中，在高温的作用下硅烷发生分解，生成多晶硅、氮化硅等生成物沉积在反应腔体内的晶圆上。在这个过程中，生成物并非仅仅沉积在晶圆的表面，同样会沉积在腔体内的任何一个地方，例如立式炉管中的内腔体的各个区域以及外腔体的内侧壁上以及内腔体和外腔体之间的间隙内。为了防止长时间的生成物的沉积影响晶圆加工的质量，因此，需要定期对反应腔体进行清洗。在本领域内一般使用清洗气体作为清洗剂，其原理为利用清洗气体经过高温分解产生的具有较强氧化性的生成物，与腔体内待去除的生成物反应，生成气体并被抽走，从而达到清洗的目的。
2、实际工艺过程中发现，当炉管腔体被清洗一定次数之后，炉管顶部受损，导致晶圆加工的良品率下降。目前为了解决该问题，选择的处理方式为：当炉管腔体被清洗一定次数之后，便更换炉管腔体，但是该种方式的维修成本、人力成本、物料成本等均较
【技术保护点】
1.一种化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：所述清洗气体为氟化气体。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：所述设定腔体内部环境条件还包括：
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：腔体内部温度从底部到顶部进行由高至低梯度控制时，所述腔体底部的温度比腔体顶部的温度高15-30℃。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：所述清洗工艺还包括：
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：所述清洗气体为氟化气体。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：所述设定腔体内部环境条件还包括：
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：腔体内部温度从底部到顶部进行由高至低梯度控制时，所述腔体底部的温度比腔体顶部的温度高15-30℃。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉管的清洗工艺，其特征在于：所述清洗工艺还包括：
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积炉...
【专利技术属性】
技术研发人员：石家燕，周冬成，张晓燕，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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