一种半导体器件及其制备方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制备方法和电子装置，方法包括：提供基底；在所述基底中同时形成彼此间隔的第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽的厚度大于所述第二沟槽的厚度，且所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度；形成介质层以覆盖所述第一沟槽的侧壁和底壁以及填充所述第二沟槽；在所述第一沟槽中形成屏蔽栅极和第一栅极，以及在所述第二沟槽中形成第二栅极。本发明专利技术的方法可以同步构建出屏蔽栅沟槽半导体器件结构和传统的沟槽型半导体器件结构，工艺步骤简单，工艺成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。

技术介绍

1、屏蔽栅沟槽(shield gate trench，sgt)型半导体器件与传统的沟槽型半导体器件相比具有导通电阻低、米勒电容cgd小等优点，同时拥有更高的功率密度和更低的开关损耗，因此受到广泛的关注并成为中低压领域的主流器件。

2、由于屏蔽栅沟槽型半导体器件相比于传统的沟槽型半导体器件具有更深的沟槽厚度，同时增加了屏蔽栅极，这些工艺差异导致两者难以在同一个工艺平台上实现。

3、相关技术中，为了在同一个工艺平台上实现这两种结构，采取分步构建的方式，即在分步蚀刻屏蔽栅沟槽型半导体器件的沟槽和传统的沟槽型半导体器件的沟槽，并增加硬掩模、光刻的步骤。该方式较为繁琐，工艺成本大。

4、鉴于上述技术问题的存在，本专利技术提供一种新的半导体器件及其制备方法和电子装置。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的数量为多个，所述第二沟槽的数量为多个，

3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度与所述第二沟槽的厚度呈正相关性。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述基底包括衬底层和外延层，所述第一沟槽和所述第二沟槽形成在所述外延层中。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成介质层以覆盖所述第一沟槽的侧壁和底壁以及填充所述第二沟槽，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的数量为多个，所述第二沟槽的数量为多个，

3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度与所述第二沟槽的厚度呈正相关性。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述基底包括衬底层和外延层，所述第一沟槽和所述第二沟槽形成在所述外延层中。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗旭，何云，李翠平，安秋爽，
申请(专利权)人：芯联越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：