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本发明提供一种半导体器件及其制备方法和电子装置，方法包括：提供基底；在所述基底中同时形成彼此间隔的第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽的厚度大于所述第二沟槽的厚度，且所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度；形成介质层以覆盖所述第一沟槽的...
该专利属于芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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