增进多级单元非挥发性内存的数据存取可靠度的方法技术

本发明专利技术提供了一种增进多级单元非挥发性内存的数据存取可靠度的方法，先依照各种多级单元非挥发性内存的储存结构的不同，取得复数个数据储存区块以做为主机数据的存取，再根据一页跳接器（ｐａｇｅ　ｊｕｍｐｅｒ）的跳接，在选取至少一组对应到同一储存单元（Ｓｔｏｒａｇｅ　Ｃｅｌｌ）的实体页的数据储存页时，跳过其它对应到属于同一储存单元的实体页的数据储存页，并将所选取的数据储存页存取于至少一个数据储存区块内，使减少闪存区块被抹除的频率，以延长多级单元非挥发性内存的使用寿命，并在不正常断电时，确保完整的存取数据。

Method for improving data access reliability of non-volatile memory of multistage unit

The invention provides a multi-level non-volatile memory unit to enhance the reliability of data access method, first in accordance with the different storage structure of various multilevel non-volatile memory unit, has a plurality of data storage blocks as host data, according to a jumper (page jumper) in the jump. Select at least one group corresponding to the same storage unit (Storage Cell) of the entity page data storage page, skip the rest belong to the same storage unit corresponding to the entity data storage page page, and the page access data stored in at least one data storage block, to reduce the flash memory block to be erased the frequency, in order to extend the non-volatile memory of multistage cell service life, and not in the normal power, to ensure the integrity of data access.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种增进数据存取可靠度的方法，尤其涉及一种增进多级单元 非挥发性内存的数据存取可靠度的方法。
技术介绍
NAND闪存具有低写入和擦除时间、高密度(高存放空间)和低制造成本 的特性，由于它的1/0接口只允许连续读取，所以并不适合计算机内存，但是却 很适合应用在储存卡上。而目前NAND闪存除了在储存卡被大量应用外，手机、 MP3播放器、数字多媒体播放器也已大量使用，作为存放多媒体档案的媒介之NAND闪存分为单级单元(Single Level Cell, SLC)与多级单元(Multi Level Cell,MLC)两种储存结构。在使用单元的方式上，SLC闪存装置与EEPROM相 同，但在浮置栅极(Floatinggate)与源极(Source)之中的氧化薄膜更薄。而SLC闪 存装置的数据写入是通过对浮栅的电荷加电压，经过源极将所储存的电荷消除。 通过这样的方式，以储存一个信息位(l代表消除，0代表写入)。而MLC闪存则 是在浮栅中使用不同程度的电荷，因此能在单一 晶体管(transistor)中储存多个位 的信息，并通过单元的写入与感应的控制，在单一晶体管中产生多层状态。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增进多级单元非挥发性内存的数据存取可靠度的方法，供使用于主机对数据储存区块的数据存取过程中，其特征在于，所述方法包括：　ａ．根据所述多级单元非挥发性内存，取得复数个数据储存区块，以存取主机数据；　ｂ．提供一页跳接器，根据所述 页跳接器的跳接，在跳过其它对应到属于同一储存单元的实体页的数据储存页时，选取至少一组对应到同一储存单元的实体页的数据储存页，以将所述数据存取于至少一个数据储存区块内。

【技术特征摘要】
1、一种增进多级单元非挥发性内存的数据存取可靠度的方法，供使用于主机对数据储存区块的数据存取过程中，其特征在于，所述方法包括a.根据所述多级单元非挥发性内存，取得复数个数据储存区块，以存取主机数据；b.提供一页跳接器，根据所述页跳接器的跳接，在跳过其它对应到属于同一储存单元的实体页的数据储存页时，选取至少一组对应到同一储存单元的实体页的数据储存页，以将所述数据存取于至少一个数据储存区块内。2、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，其还包括一步骤将所述页跳 接器所进行存取的数据储存区块，合并于一空白区块内，以构成不具有页跳接 的储存容量的数据储存区块。3、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，将使用所述页跳接器进行存取 的数据储存区块，作为主机正在存取的数据储存区块的数据备份区块；当主机 正在存取的数据储存区块发生数据读取错误时，读取所述数据备份区块的相对 应的数据储存页，以取得正确的数据，而当主机更换所进行存取的数据储存区 块之后，将所述数据备份区块内的数据抹除。4、 如权利要求3所述的方法，其特征在于，其还包括一个步骤在所述数 据备份区块内的数据抹除之前，对主机所进行存取的数据储存区块的数据进行 验证。5、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，将复数个使用所述页跳接器进 行存取的数据储存区块，作为主机正在存取的逻辑数据储存区块的数据暂存区 块，当主机更换所进行存取的数据储存区块之后，将所述复数个数据暂存区块 内的数据合并于一空白区块内，以构成一不具有页跳接的数据储存区块，并将 所述复数个数据暂存区块内的数据抹除。6、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，所述数据存取区块内的数据以 页地址由小到大的排列方式，进行数据储存页的数据编程。7、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，所述多级单元包括复数个储存 单元，任一储存单元储存n个位，所述页跳接器选取所述n个位中的最低位所 组成的页。8、 一种增进多级单元非挥发性内存的数据存取可靠度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林传生，
申请(专利权)人：联阳半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]