【技术实现步骤摘要】
本申请涉及传感器，尤其涉及一种压力传感器芯片及其制造方法。
技术介绍
1、为了提高压力传感器芯片检测的精确度，相关技术中，压力传感器芯片中包括差压敏感电阻和静压敏感电阻，静压敏感电阻检测周围环境静压变化，将环境静压变化作为对照组，减小环境静压变化对压力传感器芯片测量精度的影响。相关技术中，差压敏感电阻和静压敏感电阻双电阻并排设计，垂直压力传感器芯片方向的体积较大。
技术实现思路
1、为此，本申请提供一种压力传感器芯片，所述压力传感器芯片包括差压敏感电阻、静压敏感电阻、第一感压膜和第二感压膜，所述差压敏感电阻与所述第二感压膜连接，所述静压敏感电阻与所述第一感压膜连接；定义垂直所述压力传感器芯片厚度方向的面为投影面，第二感压膜在所述投影面的正投影位于所述第一感压膜在所述投影面的正投影之内。
2、在本申请的压力传感器芯片中，第二感压膜在投影面的正投影位于第一感压膜在投影面的正投影之内，相当于沿压力传感器芯片厚度方向，静压敏感电阻与差压敏感电阻堆叠设置，这样垂直压力传感器芯片厚度方向上...
【技术保护点】
1.一种压力传感器芯片，其特征在于：所述压力传感器芯片包括差压敏感电阻、静压敏感电阻、第一感压膜和第二感压膜，所述差压敏感电阻与所述第二感压膜连接，所述静压敏感电阻与所述第一感压膜连接；
2.如权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于：沿所述压力传感器芯片厚度方向，所述第一感压膜的厚度大于所述第二感压膜厚度。
3.如权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于：所述第一感压膜包括第一面和第二面，所述第二感压膜包括第三面和第四面；沿所述压力传感器芯片厚度方向，所述第一面和所述第二面分别位于所述第一感压膜两侧，所述第三面和所述第四面分别位于所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种压力传感器芯片，其特征在于：所述压力传感器芯片包括差压敏感电阻、静压敏感电阻、第一感压膜和第二感压膜，所述差压敏感电阻与所述第二感压膜连接，所述静压敏感电阻与所述第一感压膜连接；
2.如权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于：沿所述压力传感器芯片厚度方向，所述第一感压膜的厚度大于所述第二感压膜厚度。
3.如权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于：所述第一感压膜包括第一面和第二面，所述第二感压膜包括第三面和第四面；沿所述压力传感器芯片厚度方向，所述第一面和所述第二面分别位于所述第一感压膜两侧，所述第三面和所述第四面分别位于所述第二感压膜两侧；所述差压敏感电阻与所述第一面连接，所述静压敏感电阻与所述第二面连接；
4.如权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于：所述压力传感器芯片包括四个所述差压敏感电阻和四个所述静压敏感电阻，所述四个所述差压敏感电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：杭州三花研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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