一种异质结太阳能电池及其制备方法技术

本公开实施例中提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池包括：单晶硅衬底；第一本征非晶硅层，设置于所述单晶硅衬底的一侧；第一掺杂非晶/微晶硅层，设置于所述第一本征非晶硅层的远离所述单晶硅衬底的一侧；以及第一透明导电氧化物TCO层，设置于所述第一掺杂非晶/微晶硅层的远离所述第一本征非晶硅层的一侧；以及第一电极，设置于所述第一透明导电氧化物TCO层的远离所述第一掺杂非晶/微晶硅层的一侧；其中所述第一透明导电氧化物TCO层包括层叠的第一氧化铟基TCO层、第一金属氧化物缓冲层和第一氧化锡基TCO层。通过本公开的方案，能够提升异质结太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、在应对能源危机和加强环境保护的形势引导下，光伏产业作为将太阳能转换为电能的重要途径近年来发展迅速。在众多的光伏技术中，异质结太阳能电池因具有工艺简单、发电量高、温度系数低等优势而受到行业青睐。

2、透明导电氧化物层(transparent conducting oxide,tco)能够提高电池横向传输载流子的能力，是异质结电池的关键组成部分。当前，绝大多数异质结电池的tco层材料均采用以铟为主的掺杂氧化铟锡(indium tin oxide,ito)。其中铟是稀有金属，储量有限，随着异质结电池产能的不断扩大，铟基靶材成本在电池整体制造成本中的比例也将进一步扩大。

3、通过复合膜技术用含量丰富、成本较低的无铟靶材部分取代tco层是异质结电池实现降铟的主要路径之一。其中，氧化锡基靶材由于兼具低成本、可靠性高、电池性能好等优势是较为理想的替代方案。目前，异质结电池中以氧化锡基tco叠加氧化铟基tco的复合膜的制备普遍采用在电池掺杂非晶/微晶硅薄膜表面依次磁控溅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括：

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电氧化物TCO层包括层叠的第二氧化铟基TCO层、第二金属氧化物缓冲层和第二氧化锡基TCO层。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一金属氧化物缓冲层和第二金属氧化物缓冲层的厚度为0.5-20nm。

5.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化铟基TCO层和所述第二氧化铟基TCO层的厚度为5-80nm。...

【技术特征摘要】

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括：

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电氧化物tco层包括层叠的第二氧化铟基tco层、第二金属氧化物缓冲层和第二氧化锡基tco层。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一金属氧化物缓冲层和第二金属氧化物缓冲层的厚度为0.5-20nm。

5.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化铟基tco层和所述第二氧化铟基tco层的厚度为5-80nm。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天健，叶冬挺，沈兵，齐浩，赵欢，
申请(专利权)人：上海电气集团恒羲光伏科技南通有限公司，
类型：发明
国别省市：