一种半导体封装用管座及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装用管座及其制备方法，包括：装置体和基体，其特征在于，所述基体和装置体通过一体冲压的方式一体成型；所述装置体包括：台座部以及自台座部上表面突出的柱状部；所述台座部从上至下贯穿所述基体；所述台座部的下表面和基体的下表面处于同一水平面；在俯视中，所述台座部的外周部在所述柱状部的周围露出，所述基体的上面还设置有两个上下贯通的第二通孔；所述两个第二通孔内分别固定设置有第一引线和第二引线；本发明专利技术避免了传统半导体封装用管座在制作时由于装置体和基体在焊接过程中造成的位置尺寸误差，而导致激光芯片在装置体上贴装位置存在的误差，提高了半导体激光器件的光学、电学等性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体封装，特别是涉及一种半导体封装用管座及其制备方法。

技术介绍

1、现有的半导体激光器件的半导体封装用管座由基体(金属座)和装置体(热沉)构成，其在制作的时候通过固定夹具将基体固定，再通过移动夹具将装置体夹到基体上对应的安装位置，然后通过焊接的方式将装置体和基体进行焊接，然而由于夹具移动装置体的过程中和焊接时存在一定的精度误差，导致装置体与基体之间的位置关系与所要求的位置关系存在一定的误差，进而导致激光芯片在装置体上的贴装位置存在误差，从而影响半导体激光器件的光学、电学等性能。

技术实现思路

1、为了解决
技术介绍
中存在的问题，本专利技术的一方面提供一种半导体封装用管座的制备方法，包括以下步骤：：

2、s1：通过冲压的方式在基板上制作出上下贯通的第一通孔；

3、s2：将散热基材插入所述第一通孔内，通过沿基板的周缘向内一体冲压得到一体成型的半导体封装用管座。

4、优选地，所述半导体封装用管座包括：装置体和基体；所述装置体包括：台座部以及自台座部上表面突出的柱状本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装用管座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用管座的制备方法，其特征在于，所述半导体封装用管座包括：装置体(1)和基体(3)；所述装置体(1)包括：台座部(11)以及自台座部(11)上表面突出的柱状部(12)；所述台座部(11)从上至下贯穿所述基体(3)；所述台座部(11)的下表面和基体(3)的下表面处于同一水平面；在俯视中，所述台座部(11)的外周部(111)在所述柱状部(12)的周围露出。

3.根据权利要求2所述的一种半导体封装用管座的制备方法，其特征在于，所述台座部(11)的上表面和基体(3)的上面处...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装用管座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用管座的制备方法，其特征在于，所述半导体封装用管座包括：装置体(1)和基体(3)；所述装置体(1)包括：台座部(11)以及自台座部(11)上表面突出的柱状部(12)；所述台座部(11)从上至下贯穿所述基体(3)；所述台座部(11)的下表面和基体(3)的下表面处于同一水平面；在俯视中，所述台座部(11)的外周部(111)在所述柱状部(12)的周围露出。

3.根据权利要求2所述的一种半导体封装用管座的制备方法，其特征在于，所述台座部(11)的上表面和基体(3)的上面处于同一水平面。

4.根据权利要求4所述的一种半导体封装用管座的制备方法，其特征在于，所述基体(3)含有铁作为主成分。

5.根据权利要求5所述的一种半导体封装用管座的制备方法，其特征在于，所述装置体(1)含有铜作为主成分。

6.一种半导体封装用管座，包括：装置体(1)和基体...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓波，裴红山，史俊恒，朱阳辉，刘永永，袁礼华，游紫萱，敬爽，
申请(专利权)人：中电科芯片技术集团有限公司，
类型：发明
国别省市：