半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法技术

本公开提供了半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，衬底内形成有沿第一方向、第二方向间隔排布的多个有源柱，多个有源柱均沿第三方向延伸；第一方向与第二方向相交，且均垂直于第三方向；电容接触结构，电容接触结构覆盖有源柱的顶面，用以连接电容结构；电容接触结构的顶面为非平面，且电容接触结构在垂直于第三方向的平面上的投影面积大于有源柱在垂直于第三方向的平面上的投影面积。根据本公开实施例，能够提高半导体结构的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)属于易失性存储器，其由多个存储单元构成，每个存储单元主要包括一个晶体管和一个电容结构，且各存储单元通过字线(word line，wl)和位线(bit line，bl)彼此电性连接。

2、随着半导体技术的发展，现已提出将水平方向的晶体管改为垂直晶体管(vertical channel transistor)的架构方案。此种dram是在衬底上形成垂直延伸的有源柱，在有源柱外侧形成环绕型栅极，并形成埋入式位线与埋入式字线。

3、然而，具有垂直晶体管的dram还面临诸多问题，电性问题成为了亟待解决的技术问题。

4、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开提供一种半导体结构、半导体器件及半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构的顶面为弧形面，且所述有源柱与所述电容接触结构接触的第一接触面为向所述电容接触结构凸出的弧形面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱的中心线与所述电容接触结构的中心线基本重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向相邻的所述有源柱之间形成有第一隔离结构，所述第一隔离结构还存在第一空隙。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，至少部分所述有源柱与所述电容接触结构接触的第一接触面高于所述第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构的顶面为弧形面，且所述有源柱与所述电容接触结构接触的第一接触面为向所述电容接触结构凸出的弧形面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱的中心线与所述电容接触结构的中心线基本重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向相邻的所述有源柱之间形成有第一隔离结构，所述第一隔离结构还存在第一空隙。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，至少部分所述有源柱与所述电容接触结构接触的第一接触面高于所述第一隔离结构的顶面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内还形成有栅极结构，所述栅极结构环绕部分所述有源柱，沿所述第二方向相邻的所述栅极结构接触连接，沿所述第一方向相邻的所述栅极结构相互绝缘；所述衬底内还形成有位线结构，所述位线结构位于所述衬底背离所述有源柱延伸方向的一侧，所述位线结构沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向相邻的所述位线结构相互绝缘。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

8.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴保润，刘忠明，杨孝东，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：