【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于椭偏测量领域,更具体地,涉及一种椭偏测量系统校准方法、系统及椭偏测量方法。
技术介绍
1、近年来,随着集成行业的不断发展,芯片结构越来越复杂,厚度由原来的纳米级也逐渐扩展至微米级别,在生产过程中对芯片结构的缺陷监测对良率的提升提供了重要的指导意义。
2、为了满足在线实时无损测量的需求,设计了高速椭偏系统,具体配置如图2所示,其中,光弹调制器(pem)是一类可以以极高的频率改变偏振光状态的一类补偿器件,所以在红外光源配合光弹调制器搭建椭偏仪可以实现红外波段的快速测量,实现对三维堆叠结构的测量。
3、但是,目前椭偏系统参数的校准方法依赖于对系统配置的改变,甚至需要加入额外的器件如:锁相放大器、斩波器等,操作复杂、需要整周期取样、精度差,因此亟需一种优化的椭偏系统参数校准方法。
技术实现思路
1、针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本专利技术提供了一种椭偏测量系统校准方法、系统及椭偏测量方法,其目的在于,实现简单、快速、高精度地椭偏测量系统校准。
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【技术保护点】
1.一种椭偏测量系统校准方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的椭偏测量系统校准方法,其特征在于,所述椭偏测量系统中,光源发出的激光依次经起偏器、第一光弹调制器后入射到样品上,光线经样品反射或透射后,依次经第二光弹调制器、检偏器后,被探测器采集,进而得到光谱信号。
3.如权利要求2所述的椭偏测量系统校准方法,其特征在于,步骤S2,对椭偏测量系统进行建模,将光强信息表示为:
4.如权利要求3所述的椭偏测量系统校准方法,其特征在于,步骤S4,包括:确定椭偏测量系统参数与谐波系数的关系式,进而结合光弹调制器幅值延迟量,校准
...【技术特征摘要】
1.一种椭偏测量系统校准方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的椭偏测量系统校准方法,其特征在于,所述椭偏测量系统中,光源发出的激光依次经起偏器、第一光弹调制器后入射到样品上,光线经样品反射或透射后,依次经第二光弹调制器、检偏器后,被探测器采集,进而得到光谱信号。
3.如权利要求2所述的椭偏测量系统校准方法,其特征在于,步骤s2,对椭偏测量系统进行建模,将光强信息表示为:
4.如权利要求3所述的椭偏测量系统校准方法,其特征在于,步骤s4,包括:确定椭偏测量系统参数与谐波系数的关系式,进而结合光弹调制器幅值延迟量,校准椭偏测量系统参数;
5.如权利要求4所述的椭偏测量系统校准方法,其特征在于,步骤s4,椭偏测量系统参数与谐波系数的关系式中,光弹调制器静态延迟量为不确定的变化量;将光弹调制器静态延迟量用光弹调制器幅值延迟量表示:
6.如权利要求5所述的椭偏测量系统校准方法,其特征在于,步骤s...
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