一种单元型横向激励谐振器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种单元型横向激励谐振器及其制作方法，该谐振器包括衬底、压电薄膜及电极层，其中，衬底中形成有空气腔，压电薄膜及电极层均位于衬底上方，压电薄膜具有多个在第一方向上间隔排列且沿第二方向延伸的释放槽，第二方向垂直于第一方向，释放槽与空气腔连通，电极层包括多个叉指电极，压电薄膜及电极层悬设于空气腔上方的部分构成器件层，多个释放槽将器件层在第一方向上划分为多个谐振单元。该谐振器通过在压电薄膜中设置多个释放槽大幅降低谐振器的释放半径及减小释放面积，有效提高晶圆的利用率并降低器件制作成本，对叉指电极的形貌进行改进，使声波的波长在叉指电极延伸方向上不断变化，减少矩型叉指电极中的平行边缘引起的高次谐波，进一步抑制杂模，显著提升器件工作性能，有效改善器件的实际应用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无线通信设备及半导体器件，涉及一种单元型横向激励谐振器及其制作方法。

技术介绍

1、随着无线通信技术的迅速发展，对频率选择和射频前端中滤波器的性能要求越来越高。5g通信作为下一代无线通信标准，对射频前端模块提出了更高的要求，包括更高的频率和更大的带宽以及高度精确的频率选择。为了克服传统谐振器的声速低、耦合系数低等问题，基于铌酸锂/钽酸锂的悬空横向激励谐振器(xbar)技术应运而生。横向激励谐振器采用横向激励方式，即通过横向电场的激励来驱动谐振器的振动模式。与传统声表面波谐振器等相比，横向激励谐振器具有高声速、工作频率高、大机电耦合系数等优点，很好的在高频范围弥补了传统声表面波谐振器的缺失，因此在无线通信设备中具有广泛的应用前景。

2、虽然xbar器件在大耦合系数和高声速方面体现出巨大的优势，但由于该器件的特性，为获得更大的耦合系数和规避高次谐波杂散模式，xbar器件往往采用大波长和低电极占空比的设计，但纵使采用上述设计其他杂散模式的影响仍然无法避免，同时，xbar器件还存在系统集成度低、生产成本高以及器件性能有待改善的问题，上述问本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单元型横向激励谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：多个所述谐振单元呈周期性排列。

3.根据权利要求1所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：所述谐振单元包括压电单元及位于压电单元上方的电极单元，所述电极单元包括至少一对极性相反的所述叉指电极。

4.根据权利要求3所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：所述电极单元的垂向投影位于所述压电单元的垂向投影范围之内。

5.根据权利要求3所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：所述电极单元的垂向投影边缘与所述压电单元的垂向投影边缘重合。

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【技术特征摘要】

1.一种单元型横向激励谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：多个所述谐振单元呈周期性排列。

3.根据权利要求1所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：所述谐振单元包括压电单元及位于压电单元上方的电极单元，所述电极单元包括至少一对极性相反的所述叉指电极。

4.根据权利要求3所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：所述电极单元的垂向投影位于所述压电单元的垂向投影范围之内。

5.根据权利要求3所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：所述电极单元的垂向投影边缘与所述压电单元的垂向投影边缘重合。

6.根据权利要求1所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：所述谐振单元的宽度包括所述谐振器的半波长。

7.根据权利要求1所述的单元型横向激励谐振器，其特征在于：在第一方向上，所述器件层的边缘与所述器件层的边缘邻近的释放...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵率，
申请(专利权)人：上海馨欧集成微电有限公司，
类型：发明
国别省市：