【技术实现步骤摘要】
本申请案主张2023/10/04申请的美国正式申请案第18/480,567号的优先权及益处，所述美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本专利技术所揭示内容是关于一种半导体结构，尤其是关于一种包括由一改良式镶嵌方法制造的互连结构的半导体结构，该方法可减少化学机械抛光(chemical-mechanicalpolishing，cmp)制程的使用。
技术介绍
1、镶嵌制程(damascene processes)是用于制造铜互连结构的习知半导体制程。铜镶嵌制程提供一种形成耦合到通孔的导电迹线，且无需对铜进行蚀刻的解决方案。双镶嵌制程(dual damascene processes)允许透过单一铜沉积制程同时形成导电通孔和导电迹线。一般来说，所述这些镶嵌制程需要透过cmp制程使铜层的表面平坦。然而，cmp制程非常耗时并可能造成可靠度问题，且为了抛光金属而导入的浆料价格昂贵。因此，本领域亟需更符合成本效益及减少资源消耗的方法以形成互连结构和导电线路。
技术实现思路
1、本专利技术所揭示内...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1的半导体结构，其中该第一介电层的一介电常数是小于该第一绝缘层和该第二绝缘层的介电常数。
3.如权利要求1的半导体结构，其中该互连基底包含：
4.如权利要求1的半导体结构，更包含：
5.如权利要求4的半导体结构，更包含：
6.如权利要求4的半导体结构，更包含一第二导电迹线，其与该第一导电迹线相邻，该第一导电迹线是配置成传输一高频信号，该第二导电迹线是耦合到一接地，且该第一导电迹线是透过一第二介电层与该第二导电迹线分隔。
7.如权利要求6的半导体...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1的半导体结构，其中该第一介电层的一介电常数是小于该第一绝缘层和该第二绝缘层的介电常数。
3.如权利要求1的半导体结构，其中该互连基底包含：
4.如权利要求1的半导体结构，更包含：
5.如权利要求4的半导体结构，更包含：
6.如权利要求4的半导体结构，更包含一第二导电迹线，其与该第一导电迹线相邻，该第一导电迹线是配置成传输一高频信号，该第二导电迹线是耦合到一接地，且该第一导电迹线是透过一第二介电层与该第二导电迹线分隔。
7.如权利要求6的半导体结构，其中该第二导电迹线围绕该第一导电迹线。
8.如权利要求7的半导体结构，更包含一第三导电迹线，其配置成与该第一导电迹线一起传输该高频信号，该第二导电迹线围绕该第一导电迹线和该第三导电迹线，且该第一导电迹线是透过该第二介电层与该第三导电迹线分隔。
9.如权利要求6的半导体结构，更包含一第四导电迹线，其耦合到该接地，该第一导电迹线是布置在该第二导电迹线与该第四导电迹线之间，且该第一导电迹线是由该第二介电层与该第四导电迹线分隔。
10.如权利要求9的半导体结构，更包含一第五导电迹线，其配置成与该第一导电迹线一起传输该高频信号，且该第一导电迹线和该第五导电迹线是布置在该第二导电迹线与该第四导电迹线之间。
11.如权利要求4的半导体结构，其中该互连本体的一厚度是与该第一导电迹线的一厚度不同。
12.如权利要求1的半导体结构，更包含一第二介电层，其配置成将该互连本体与该第二绝缘层上面的一导电迹线隔离，其中该互连本体包含：
13.如权利要求12的半导体结构，其中该至少一个导电层包含铜、钴、和钌的至少一种金属材料。
14.如权...
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