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本发明所申请内容揭示一种半导体结构以及一种半导体结构制造方法。该半导体结构包括一第N个金属层的一导电线路、一第一绝缘层、一介电层、一第二绝缘层、一互连基底、和一互连本体。该第一绝缘层是在该导电线路上且未覆盖该导电线路的一部位。该介电层是在该...
该专利属于林君明所有，仅供学习研究参考，未经过林君明授权不得商用。

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