芯片凸点制造工艺、封装工艺及芯片制造技术

本申请实施例公开了一种芯片凸点制造工艺、封装工艺及芯片。芯片制造包括晶圆加工和封装，芯片凸点制造工艺在晶圆加工阶段完成，包括：步骤1、在上表面敷设有顶层金属层的基底上沉积钝化层，覆盖基底上表面和顶层金属层，确定凸点区域，在钝化层上的凸点区域进行凸点开窗，露出顶层金属层；步骤2、在钝化层上沉积凸点金属层，凸点金属层通过凸点开窗与顶层金属层电性接触；步骤3、刻蚀形成凸点，通过刻蚀除去凸点区域之外的凸点金属层，保留凸点区域的凸点金属层以形成凸点。本申请芯片凸点制造工艺在晶圆加工阶段完成，即在晶圆厂完成凸点的制造，相比在封装厂加工凸点，在晶圆厂制造凸点的精度更好。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路制造工艺，更加具体来说，本申请涉及一种芯片凸点制造工艺、封装方法及芯片。

技术介绍

1、cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)逻辑电路的制造技术是半导体工业的基础。通常的cmos逻辑电路制程分为前端制程和后端制程：前端制程用于实现cmos晶体管等电路元器件，后端制程用于重复制造多层互联，最顶层的金属通常会用于制造键合焊盘。通常cmos电路制造工艺在晶圆厂完成，最终芯片表面只有焊盘部分金属裸露出来，在封装厂通过封装工艺进一步将焊盘与电路板互联，完成可单独应用的封装体芯片。

2、封装键合的方式主要有引线键合技术(wire bonding)和倒装芯片技术(flipchip)，其中wire bonding通常可直接应用于晶圆厂加工完成的普通焊盘结构；而flipchip通常却需要在普通焊盘结构上再制备额外的互联金属层和凸点(bumping)结构来实现。因此倒装芯片的封装工艺技术较复杂，成本也较高；但相对的，倒装芯片具有芯片尺寸小、集成密度高的优势，同时传输性能，散本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片凸点制造工艺，其特征在于，芯片制造包括晶圆加工和封装，所述芯片凸点制造工艺在所述晶圆加工阶段完成，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片凸点制造工艺，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的芯片凸点制造工艺，其特征在于，所述步骤1还包括所述钝化层沉积完成后，通过CMP工艺在所述钝化层上制备平坦表面，然后进行所述凸点开窗操作。

4.根据权利要求2所述的芯片凸点制造工艺，其特征在于，所述步骤1还包括在非凸点区域进行开窗形成焊盘开窗并露出所述顶层金属层；所述步骤3中还包括将所述焊盘开窗位置的刻蚀终点设置在所述顶层金属层的表面，并通过刻蚀形成焊盘。...

【技术特征摘要】

1.一种芯片凸点制造工艺，其特征在于，芯片制造包括晶圆加工和封装，所述芯片凸点制造工艺在所述晶圆加工阶段完成，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片凸点制造工艺，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的芯片凸点制造工艺，其特征在于，所述步骤1还包括所述钝化层沉积完成后，通过cmp工艺在所述钝化层上制备平坦表面，然后进行所述凸点开窗操作。

4.根据权利要求2所述的芯片凸点制造工艺，其特征在于，所述步骤1还包括在非凸点区域进行开窗形成焊盘开窗并露出所述顶层金属层；所述步骤3中还包括将所述焊盘开窗位置的刻蚀终点设置在所述顶层金属层的表面，并通过刻蚀形成焊盘。

5.根据权利要求4所述的芯片凸点制造工艺，其特征在于，所述步骤3的刻蚀采用干法刻蚀工艺。

6.根据权利要求4所述的芯片凸点制造工艺，其特征在于，所述步骤1中形成多个凸点开窗。

7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张良，杨兆宇，吴宝全，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：