【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、现芯片制造领域中，光刻机比较先进的有，深紫duv光刻机只能做到25纳米和极紫光刻机能够做到10纳米以下芯片。也有利用x射线做光刻机，但技术不完善效率低至今没有大的突破。最先进的euv光刻机虽先进，但制造技术含量高和极其复杂价格昂贵。
技术实现思路
1、本专利技术是利用x射线光波短、功率可调用于光刻晶元制做10纳米至皮米级芯片，将掩膜板图案印在晶元上得到高制程集成电路芯片。其特点采用x光光波不可见光波极短的x射线为光源。采用非接触式小孔成像和昆虫复眼成像方法制取低线宽高制程芯片，曝光一次便获得整张晶元所有芯片一致图案，省去了复杂精密的透镜组、激光器光打锡滴制取极紫光、光反射镜系统及抽真空等。采用小孔成像得到实像的方法，将掩膜版图像印在晶原上制得高精度低线宽芯片。克服了透镜组产生偏差。可使掩膜版图案缩小几十倍至几百倍。
2、本专利技术特点；采用光刻胶或卤化银代替光刻胶。当x光照在涂有感光材料卤化银晶元曝光后，卤化银离子便沉积于晶元二氧化硅绝缘层上，形成导电纳米线，被...
【技术保护点】
1.一种非接触x射线投影光刻机制作及应用方法，本机由铅基座(1)，光机机架座(2)，铅外壳(3)调位手柄(4)，调位支架(5)螺母(6)，细丝螺杆(7)晶元座(8)，铅板隔层(9)，多孔板(10)，降温通进风道(11)，支架杆(12)，掩膜板卡槽(13)，光孔铅外罩(14)，x光光管(15)，光球管(16)，降温出风道(17)，等部件所组成的光刻机，其特点用x射线为光源，利用x射线光波短，功率可调，光真线传播，小孔成像，调整整掩膜板与多孔板距离可以得到任何大小实像图案，用铅板和钨合金扳及高密度阻x射线材料板，用粒子束等方法切割图案，并在透x射线板上以粘贴方法制做掩膜板...
【技术特征摘要】
1.一种非接触x射线投影光刻机制作及应用方法，本机由铅基座(1)，光机机架座(2)，铅外壳(3)调位手柄(4)，调位支架(5)螺母(6)，细丝螺杆(7)晶元座(8)，铅板隔层(9)，多孔板(10)，降温通进风道(11)，支架杆(12)，掩膜板卡槽(13)，光孔铅外罩(14)，x光光管(15)，光球管(16)，降温出风道(17)，等部件所组成的光刻机，其特点用x射线为光源，利用x射线光波短，功率可调，光真线传播，小孔成像，调整整掩膜板与多孔板距离可以得到任何大小实像图案，用铅板和钨合金扳及高密度阻x射线材料板，用粒子束等方法切割图案，并在透x射线板上以粘贴方法制做掩膜板，用阻x射线的铅板或钨合金板上...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。