超高真空解离钝化方法技术

本发明专利技术公开了超高真空解离钝化方法，其解离钝化方法：激光Bar条处理→除气处理→清洗处理→超真空解离→界面处理→超真空钝化处理→钝化检测。本发明专利技术通过MBE是一个超高真空的物理沉积过程，既不需要考虑中间化学反应，又不受质量传输的影响，并且利用闸门可以对外延生长和中断进行瞬时控制，因此，膜的组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整，在超过10(‑7)Pa以上的超高真空条件下，使用超高真空解离机对激光器进行解离，可以最大程度的减少界面氧化的过程，MBE可以获得结晶质量极好的钝化层，结晶质量好，材料缺陷越少，从而承受高功率激光的能力越强，激光器的性能可以得到大幅提升，提升高功率器件性能，延长器件使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，具体为超高真空解离钝化方法。

技术介绍

1、半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器，半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器，半导体激光器具有制作成本低、使用寿命长、重量轻、体积小和效率高等优点，使它在通信、信息存储、泵浦激光器等不可或缺的重要光源，以及需要高效单模光源的光电子系统中不可替代的光学器件，被广泛的应用于激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面。

2、inp基底的光通信用半导体激光器端面解离是在大气状态下进行，将激光器激光发射端面暴露出来，然后进行端面钝化工艺，由于钝化过程是在大气状态下进行，构成激光器端面的量子阱等单晶界面会因为在接触大气后被氧化，氧化的界面会影响激光器工作性能以及可靠性，另外钝化的材料和工艺也会影响导致激光器使用的性能，尤其是在高功率的工作条件下。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供超高真空解离钝化方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.超高真空解离钝化方法，其解离钝化方法：激光Bar条处理→除气处理→清洗处理→超真空解离→界面处理→超真空钝化处理→钝化检测，其特征在于：包括以下七个步骤：

2.根据权利要求1所述的超高真空解离钝化方法，其特征在于：在所述步骤一中，对基材（激光Bar条）烘烤温度控制在100℃～250℃，持续60分钟～180分钟。

3.根据权利要求1所述的超高真空解离钝化方法，其特征在于：在所述步骤二中，在预处理与表面分析室配置XPS、SIMS、LEED分析仪器，外延生长室是 MBE系统中最重要的一个真空工作室，配置有分子束源、电离计、俄歇谱仪、高能电子衍射仪和四极质谱仪等部件，...

【技术特征摘要】

1.超高真空解离钝化方法，其解离钝化方法：激光bar条处理→除气处理→清洗处理→超真空解离→界面处理→超真空钝化处理→钝化检测，其特征在于：包括以下七个步骤：

2.根据权利要求1所述的超高真空解离钝化方法，其特征在于：在所述步骤一中，对基材（激光bar条）烘烤温度控制在100℃～250℃，持续60分钟～180分钟。

3.根据权利要求1所述的超高真空解离钝化方法，其特征在于：在所述步骤二中，在预处理与表面分析室配置xps、sims、leed分析仪器，外延生长室是 mbe系统中最重要的一个真空工作室，配置有分子束源、电离计、俄歇谱仪、高能电子衍射仪和四极质谱仪等部件，四极质谱仪－真空度检测，监测残余气体和分子束流的成分；电离计－测量分子束流量；电子衍射仪－观察晶体表面结构以及生长表面光洁平整度；俄歇谱仪—检测表面成分、化学计量比和表面沾污等。

4.根据权利要求1所述的超高真空解离钝化方法，其特征在于：在所述步骤三中，超高真空系统包括维持泵、真空计电源，真空计，机械泵、前级泵和高真空阀，开涡轮分子泵电源、开前级泵和高真空阀，开维持泵、真空计电源，真空计档位置v1位置，等待其值小于10后，再进入下一步操作，约需5分钟；再开机械泵、预抽，开涡轮分...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金秋，薛润天，马图腾，
申请(专利权)人：南京镭芯光电有限公司，
类型：发明
国别省市：