一种多芯片并联的功率模块制造技术

技术编号:41529680 阅读:30 留言:0更新日期:2024-06-03 23:05
本发明专利技术公开了一种多芯片并联的功率模块,包含两个半桥电路,可仅通过改变模块端子件在外部电路的连接方式,实现多种功能。当第一半桥正极端子和第二半桥正极端子接入不同电路且第一半桥交流端子和第二半桥交流端子间接入电感时,可实现四开关BUCK‑BOOST电路;当第一半桥正极端子和第二半桥正极端子接入相同电路且第一半桥交流端子和第二半桥交流端子接入相同电路时,可实现两芯片并联的半桥电路;使得功率模块的功能更加丰富,应用场景更加广泛,解决了传统的功率模块只能实现单一电路功能,在电路功能需求丰富的应用场景难以适用的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子,尤其涉及一种多芯片并联的功率模块


技术介绍

1、随着现代交通运输、航空航天、新能源等领域的快速发展,电力电子功率模块(简称功率模块)得到了广泛的应用,这对功率模块的功能丰富程度以及应用范围也提出了更高的要求。但传统的功率模块一般只能实现单一电路功能,在电路功能需求丰富的应用场景难以适用,若想实现其他电路功能,需要重新设计生产,成本高,应用范围小。因此,如何在保持单个功率模块体积较小的情况下,集成多种电路功能,使得功率模块可实现功能更加丰富、更加灵活、应用范围更加广泛,从而减小功率模块的生产开发成本,是领域技术人员亟待解决的技术问题。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种多芯片并联的功率模块,用于解决传统的功率模块只能实现单一电路功能,在电路功能需求丰富的应用场景难以适用的技术问题。

2、有鉴于此,本专利技术提供了一种多芯片并联的功率模块,包括:

3、第一半桥上桥臂开关芯片,第一半桥上桥臂开关芯片设有第一控制端、第一输入端和第一输出端;p>

4、第一半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多芯片并联的功率模块,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的多芯片并联的功率模块,其特征在于,第一半桥上桥臂开关芯片包括第一IGBT,第一IGBT的栅电极作为第一半桥上桥臂开关芯片的第一控制端与第一半桥上桥臂驱动金属层连接,第一IGBT的源极作为第一半桥上桥臂开关芯片的第一输出端与第一半桥上桥臂源极电极层及第一半桥交流侧电极层连接,第一IGBT的漏极作为第一半桥上桥臂开关芯片的第一输入端与第一半桥正电极层连接。

3.根据权利要求2所述的多芯片并联的功率模块,其特征在于,第一半桥下桥臂开关芯片包括第二IGBT,第二IGBT的栅电极作为第一半桥下桥臂开关...

【技术特征摘要】

1.一种多芯片并联的功率模块,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的多芯片并联的功率模块,其特征在于,第一半桥上桥臂开关芯片包括第一igbt,第一igbt的栅电极作为第一半桥上桥臂开关芯片的第一控制端与第一半桥上桥臂驱动金属层连接,第一igbt的源极作为第一半桥上桥臂开关芯片的第一输出端与第一半桥上桥臂源极电极层及第一半桥交流侧电极层连接,第一igbt的漏极作为第一半桥上桥臂开关芯片的第一输入端与第一半桥正电极层连接。

3.根据权利要求2所述的多芯片并联的功率模块,其特征在于,第一半桥下桥臂开关芯片包括第二igbt,第二igbt的栅电极作为第一半桥下桥臂开关芯片的第二控制端与第一半桥下桥臂驱动金属层连接,第二igbt的源极作为第一半桥下桥臂开关芯片的第二输出端与负电极层连接,第二igbt的漏极作为第一半桥下桥臂开关芯片的第二输入端与第一半桥交流侧电极层连接。

4.根据权利要求3所述的多芯片并联的功率模块,其特征在于,第二半桥上桥臂开关芯片包括第三igbt,第三igbt的栅电极作为第二半桥上桥臂开关芯片的第三控制端与第二半桥上桥臂驱动金属层连接,第三igbt的源极作为第二半桥上桥臂开关芯片的第三输出端与第二半桥上桥臂源极电极层及第二半桥交流侧电极层连接,第三igbt的漏极作为第二半桥上桥臂开关芯片的第三输入端与第二半桥正电极层连接。

5.根据权利要求4所述的多芯片并联的功率模块,其特征在于,第二半桥下桥臂开关芯片包括第四igbt,第四igbt的...

【专利技术属性】
技术研发人员:周月宾陈材吴越朱双喜袁智勇张恒康勇何智鹏李巍巍
申请(专利权)人:南方电网科学研究院有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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