本发明专利技术涉及一种高功率芯片散热一体化结构，该结构包括高功率芯片和散热组件；所述散热组件包括散热翅片、嵌入安装在所述散热翅片顶部的水冷板以及嵌入安装在所述水冷板顶部的金刚石片；所述高功率芯片安装在所述金刚石片上；所述高功率芯片产生的热量通过所述金刚石片传导至所述水冷板，一部分热量被所述水冷板吸收，另一部分热量通过所述水冷板传递给所述散热翅片，由所述散热翅片吸收。本发明专利技术能够解决现有技术中的不足，能够使高功率芯片快速定向冷却，具有结构简单、制作方便等特点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热管理，具体涉及一种高功率芯片散热一体化结构。
技术介绍
1、随着高功率芯片集成化程度越来越高，芯片的功率密度也越来越高。芯片散热通常采用风冷方式和水冷方式，但随着芯片功率大幅提高，这两种散热方式难以解决芯片温升过高的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高功率芯片散热一体化结构，该结构能够解决现有技术中的不足，能够使高功率芯片快速定向冷却，具有结构简单、制作方便等特点。
2、为实现上述目的，本专利技术采用了以下技术方案：
3、一种高功率芯片散热一体化结构，该结构包括高功率芯片和散热组件；
4、所述散热组件包括散热翅片、嵌入安装在所述散热翅片顶部的水冷板以及嵌入安装在所述水冷板顶部的金刚石片；
5、所述高功率芯片安装在所述金刚石片上；
6、所述高功率芯片产生的热量通过所述金刚石片传导至所述水冷板，一部分热量被所述水冷板吸收，另一部分热量通过所述水冷板传递给所述散热翅片，由所述散热翅片吸收。
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【技术保护点】
1.一种高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的高功率芯片散热一体化结构，其特征在于，
4...
【专利技术属性】
技术研发人员：占化斌，陈建辉，何世安，陈宇鹏，万昌韦，鲁秀生，郝奇，韦佳伟，管鑫鑫，周峰，艾凡彪，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十六研究所，
类型：发明
国别省市：
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