一种基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件及制作方法，制作方法包括：自下而上生长衬底层、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上生长SiN钝化层；刻蚀去除SiN钝化层直至GaN缓冲层内形成台面隔离区；在台面隔离区的GaN缓冲层上生长极化调控材料，及在SiN钝化层上生长极化调控材料；刻蚀去除极化调控材料直至AlGaN势垒层形成欧姆接触区；在欧姆接触区的AlGaN势垒层上沉积欧姆金属并退火形成源、漏电极；刻蚀去除极化调控材料直至AlGaN势垒层表面形成栅槽；在栅槽内，及第二器件结构的SiN钝化层上沉积栅金属形成T型栅电极。本发明专利技术降低了隔离泄漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件及制作方法。

技术介绍

1、gan(氮化镓)作为第三代半导体材料，具有更大的禁带宽度、更高的击穿电压以及热导率大、抗辐照能力强等优点，在高频、高压、大功率等领域发挥着重要作用。

2、然而，在gan基器件的进一步发展过程中仍然存在一些关键性问题有待解决，其中就包括器件隔离区域的漏电问题。目前，常用的器件隔离方法有离子注入方法和基于等离子体的台面刻蚀方法，基于等离子体的台面刻蚀方法相对于离子注入方法而言工艺更为简单、成本更低，是一种被广泛应用的隔离方法。但是，基于等离子体的台面刻蚀方法会在半导体表面引起刻蚀损伤，在刻蚀表面引入界面态，这与在半导体表面沿着能带分布着的表面态有关，处于费米能级附近的表面态会作为电子跃迁的通道，产生泄漏电流，导致隔离泄漏电流较大。目前，消除刻蚀损伤并减少泄漏电流的方法有在刻蚀表面填充介质，如：si3n4、sio2等；以及对刻蚀表面进行离子处理，例如：n2/h2处理、o2等离子体处理等。这些方法都能够有效地减少刻蚀损伤，降低泄漏电流。

3、但本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

2.根据权利要求1所述的基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件的制作方法，其特征在于，刻蚀去除所述第一器件结构两端的SiN钝化层直至GaN缓冲层内，包括：

3.根据权利要求1所述的基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件的制作方法，其特征在于，在所述台面隔离区的GaN缓冲层上，以及在所述第一器件结构的SiN钝化层上生长极化调控材料，包括：

4.根据权利要求3所述的基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件的制作方法，其特征在于，利用射频反应磁控溅射工艺，在所述台面隔离区的GaN...

【技术特征摘要】

1.一种基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

2.根据权利要求1所述的基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件的制作方法，其特征在于，刻蚀去除所述第一器件结构两端的sin钝化层直至gan缓冲层内，包括：

3.根据权利要求1所述的基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件的制作方法，其特征在于，在所述台面隔离区的gan缓冲层上，以及在所述第一器件结构的sin钝化层上生长极化调控材料，包括：

4.根据权利要求3所述的基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件的制作方法，其特征在于，利用射频反应磁控溅射工艺，在所述台面隔离区的gan缓冲层上，以及在所述第一器件结构的sin钝化层上生长极化调控材料，包括：

5.根据权利要求1所述的基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝杰杰，周园园，马晓华，张博文，刘思雨，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：