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本发明公开了一种基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件及制作方法，制作方法包括：自下而上生长衬底层、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上生长SiN钝化层；刻蚀去除SiN钝化层直至GaN缓冲层内形成台...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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