【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺的,尤其涉及应用于剥离光阻的一种光阻剥离液。
技术介绍
1、熟悉集成电路工艺技术的电子工程师必然知道,微影蚀刻(photolithography)用于将预设计在光罩之上的图案层(patterned layer)转印在一基板之上,从而该基板的上覆有该图案层。更进一步地说明,在该图案层的制造材料为一特定材料的情况下,其为一功能层。另一方面,若该图案层的制造材料为金属,则其为一线路层。
2、图1显示利用微影蚀刻工艺在一基板制作出一线路层的示意性制造流程图。如图1之中的流程(a)所示,制造流程是先于一基板10a上依序形成一金属层11a与一光阻层12a。接着,如图1之中的流程(b)所示,将具有一预设计图案层的光罩置于该光阻层12a上方处,而后通过该光罩对该光阻层12a进行曝光(exposure),使该光阻层12a具有一反应部120a。继续地,如图1之中的流程(c)所示,对该光阻层12a进行显影(development),从而将该光阻层12a加工成一图案化(patterned)光阻层121a。之后,如图1之中的流
...【技术保护点】
1.一种光阻剥离液,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的光阻剥离液,其特征在于,所述非质子溶剂包含选自于由醇醚类溶剂、酰胺类溶剂、砜类溶剂、亚砜类溶剂、呋喃类溶剂、和酮类溶剂所组成群组的中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的光阻剥离液,其特征在于,所述有机碱包括选自于由一级胺、二级胺和三级胺所组成群组之中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的光阻剥离液,其特征在于,所述含有一个羟基的芳香醇包括选自于由苯甲醇、苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯氧乙醇、苯氧丙醇、苯氧丁醇、苯基环氧乙烷、二苯基甲醇、三苯基甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇
...【技术特征摘要】
1.一种光阻剥离液,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的光阻剥离液,其特征在于,所述非质子溶剂包含选自于由醇醚类溶剂、酰胺类溶剂、砜类溶剂、亚砜类溶剂、呋喃类溶剂、和酮类溶剂所组成群组的中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的光阻剥离液,其特征在于,所述有机碱包括选自于由一级胺、二级胺和三级胺所组成群组之中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的光阻剥离液,其特征在于,所述含有一个羟基的芳香醇包括选自于由苯甲醇、苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯氧乙醇、苯氧丙醇、苯氧丁醇、苯基环氧乙烷、二苯基甲醇、三苯基甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、邻氨基苯甲醇、对氨基苯甲醇、间甲氧基苯甲醇、对甲氧基苯甲醇、苄氧基苯甲醇、和二苄氧基苯甲醇所组成群组之中的至少一者。
5.一种根据权利要求1至4中任一项所述的光阻剥离液的用途,其用于在一微影蚀刻中将一光阻层自一基板上剥除。
6.一种光阻剥离液,其特征在于,包括:
7.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡政颖,魏郡萩,王尊武,
申请(专利权)人:芝普企业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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