【技术实现步骤摘要】
本专利技术特别涉及一种p型欧姆接触电极结构及其制备方法，属于半导体。
技术介绍
1、基于gan的蓝色发光二极管(led)的开发获得了2014年诺贝尔物理学奖，该奖项授予“专利技术高效蓝色发光二极管，实现明亮节能的白光光源”。自1990年代的开创性工作以来，已开发出各种类型的iii-v氮化物基光电器件，包括激光二极管(ld)、金属半导体场效应晶体管(mesfet)、异质结双极晶体管(hbt)、和光电探测器(pd)。gan基器件的生产使得p-gan触点的开发和改进成为优先目标，因为器件的效率受到其高p触点电阻率的严重影响。
2、尽管付出了巨大的努力，但在p-gan基材料上实现高质量的接触仍然是一个挑战。这是因为受到掺杂元素mg的离化率的影响，限制p-gan的空穴浓度。而且p-gan功函数非常高，以至于没有具有可匹配的功函数金属可用于在其上制造欧姆接触。因此主要解决方法是将功函数与p-gan尽可能相似的金属合金用于接触，以及探索其他材料以获得更低的电阻率、更好的热稳定性以及改善光学性能。
3、为了形成高质量的gan欧姆...
【技术保护点】
1.一种p型欧姆接触电极结构的制备方法，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一超高真空条件的真空度在1×10-9torr以上；优选的，所述第一超高真空条件的真空度为1×10-9torr-1×10-11torr。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：先在真空环境中将所述半导体结构从所述半导体生长设备中转移到电感耦合等离子体设备、退火设备、湿法清洗设备、激光处理设备中的至少一者中，并在第二超高真空条件下，对所述p型半导体材料层进行表面处理，之后再于真空环境中将所述半导体结构从所述等离子体清洗设备中...
【技术特征摘要】
1.一种p型欧姆接触电极结构的制备方法，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一超高真空条件的真空度在1×10-9torr以上；优选的，所述第一超高真空条件的真空度为1×10-9torr-1×10-11torr。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：先在真空环境中将所述半导体结构从所述半导体生长设备中转移到电感耦合等离子体设备、退火设备、湿法清洗设备、激光处理设备中的至少一者中，并在第二超高真空条件下，对所述p型半导体材料层进行表面处理，之后再于真空环境中将所述半导体结构从所述等离子体清洗设备中转移到薄膜沉积设备中。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述第二超高真空条件的真空度在1×10-9torr以上；优选的，所述第二超高真空条件的真空度为1×10-9torr-1×10-11torr。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：采用电感耦合等离子体设备对所述p型半导体材料层进行表面处理所采用的等离子体包括氮等离子体或氢等离子体，等离子的功率为50w-100w，表面处理的时间为15-30min。
6.根据权利要求3所述的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，王荣新，杨辉，刘建平，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：
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