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本发明公开了一种p型欧姆接触电极结构及其制备方法。所述p型欧姆接触电极结构的制备方法包括：在半导体生长设备中生长半导体结构，所述半导体结构包括p型半导体层；之后，在真空环境中将所述半导体结构从所述半导体生长设备中转移到薄膜沉积设备中；然后，...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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