一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法技术

本发明专利技术提供了一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法，用于湿法刻蚀的h‑BN为高温感应加热法制备，其薄膜均匀且连续。使用三种不同刻蚀溶液（85%热磷酸，SPM溶液，APM溶液）对多层h‑BN进行化学法刻蚀调控氮化硼厚度。分别通过不同刻蚀温度，刻蚀配比，刻蚀时间调控其对h‑BN表面形貌以及刻蚀速率。三种刻蚀剂在刻蚀过程中均只改变薄膜厚度，而不会对薄膜晶体结构造成破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体薄膜工艺领域，涉及一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法。

技术介绍

1、六方氮化硼在电子、光子、催化等领域有着广泛的应用。在微纳电子工业中，氮化硼（bn）薄膜因其良好的电绝缘性和热导性，以及优异的化学和热稳定性而广泛应用于多种器件。然而由于缺少合适的加工技术，h-bn在可扩展器件中的适用性和广泛部署受到限制。

2、传统的刻蚀技术有两种，一种是湿法蚀刻，另一种是干法刻蚀。干法刻蚀指通过等离子和薄膜的反应，形成一种挥发的物质，直接对薄膜进行轰击。干法刻蚀具有各向异性的特点，侧壁剖面控制较好，但其本身也有不足之处，如对一些下层材料的选择相对较差，等离子体会给被刻蚀材料和设备带来损害，湿法刻蚀是通过预刻蚀材料与刻蚀液产生化学反应，不会被遮蔽的部分除去，从而实现刻蚀的一种纯化学反应。湿法蚀刻设备简单，工艺操作方便，能满足一般生产所需，与干法刻蚀技术相比，湿法通常拥有较慢的刻蚀速率。这一特点限制了其在生产大规模和需要快速成型的场合的应用。

3、六方氮化硼薄膜具有极高的化学惰性，因此它是一种比氮化硅更好的硬掩膜，主要作为刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.按权利要求1所述的一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法，其特征在于，步骤（1）中，多层h-BN主要由化学气相沉积、磁控溅射、激光脉冲沉积、分子束外延等制备方法得到。

3.按权利要求1所述的一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法，其特征在于，步骤（1）中，绝缘衬底主要包括氧化硅片、氮化铝、碳化硅、或蓝宝石等耐化学腐蚀绝缘衬底。

4.按权利要求1所述的一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述的刻蚀液主要包括85%热磷酸，SPM溶液（98% H2SO4...

【技术特征摘要】

1.一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.按权利要求1所述的一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法，其特征在于，步骤（1）中，多层h-bn主要由化学气相沉积、磁控溅射、激光脉冲沉积、分子束外延等制备方法得到。

3.按权利要求1所述的一种化学法调控氮化硼外延薄膜厚度的方法，其特征在于，步骤（1）...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴天如，
申请(专利权)人：苏州旌晖创半导体新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：