一种光刻胶烘烤装置制造方法及图纸

本技术公开了一种光刻胶烘烤装置，属于半导体制造技术领域。光刻胶烘烤装置包括支架、加热组件、承托组件和支撑件。加热组件与支架之间相互连接，加热组件包括加热板，加热板上设置有电热丝，电热丝能够产生热量以烘烤晶圆表面的光刻胶，电热丝的宽度在1mm‑3mm之间，电热丝均匀间隔地盘设于加热板上，相邻电热丝之间的间隔在3mm‑4mm之间。承托组件设置于支架上，承托组件能够承托位于第一位置的晶圆。支撑件设置于加热组件上，支撑件能够支撑位于第二位置的晶圆，第一位置高于第二位置。光刻胶烘烤装置能够对晶圆表面的光刻胶进行均匀加热的同时，对晶圆与加热板之间的距离进行精准控制，使光刻胶形成厚度均匀的薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种光刻胶烘烤装置。

技术介绍

1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，晶圆可进一步加工制作成各种电路元件结构，而使晶圆成为有特定电性功能的芯片产品。

2、在晶圆加工制作过程中，通常会涉及到光刻工艺，光刻工艺是将芯片设计的图案转移到晶圆上。在光刻工艺过程中，操作人员会在晶圆表面涂抹光刻胶，然后对光刻胶进行加热固化，以使晶圆表面的光刻胶形成均匀、稳定的薄膜，提高晶圆的耐化学性和机械强度。

3、然而加热固化光刻胶的过程中，由于电热丝在加热板的中心部分分布集中，而在加热板的边缘部分分布稀疏，造成电热丝对各处的光刻胶产生的热量不均匀，导致光刻胶受热不均匀，从而导致光刻胶形成的薄膜厚度不均匀，导致影响晶圆的性能，甚至导致晶圆报废。此外，在对光刻胶进行烘烤时，晶圆与加热板之间的距离由运送晶圆的机构直接控制，操作人员需要控制运送晶圆的机构来调节晶圆与加热板之间的距离，在此过程中，晶圆与加热板之间的距离如果调节不合适会影响加热板对晶圆的加热，从而影响晶圆表面光刻胶的挥发，进而影响光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻胶烘烤装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述加热组件(2)还包括第一导热板(22)，所述第一导热板(22)与所述加热板(21)之间通过连接件连接，且所述第一导热板(22)位于所述加热板(21)上方，所述第一导热板(22)的材质为紫铜。

3.根据权利要求2所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述加热组件(2)还包括第二导热板(23)，所述第二导热板(23)与所述第一导热板(22)之间通过连接件连接，且所述第二导热板(23)位于所述第一导热板(22)上方，所述第二导热板(23)的材质为铝6063。

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【技术特征摘要】

1.一种光刻胶烘烤装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述加热组件(2)还包括第一导热板(22)，所述第一导热板(22)与所述加热板(21)之间通过连接件连接，且所述第一导热板(22)位于所述加热板(21)上方，所述第一导热板(22)的材质为紫铜。

3.根据权利要求2所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述加热组件(2)还包括第二导热板(23)，所述第二导热板(23)与所述第一导热板(22)之间通过连接件连接，且所述第二导热板(23)位于所述第一导热板(22)上方，所述第二导热板(23)的材质为铝6063。

4.根据权利要求3所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述承托组件(3)包括至少三个承托件(31)，所述承托件(31)包括承托端，所述承托端具有第一承托位置和第二承托位置，位于所述第一承托位置的所述承托端位于所述晶圆的下方，位于所述第二承托位置的所述承托端能承托位于所述第一位置的所述晶圆，所述第一承托位置低于所述第二承托位置。

5.根据权利要求4所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述承托件(31)设置为顶针，所述顶针均竖直设置；

6.根据权利要求4所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怀宣，
申请(专利权)人：上海众鸿半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：