【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及三维高密度封装互连，尤其涉及一种多通道深腔埋置集成微系统及其制作方法和电磁屏蔽结构。
技术介绍
1、通感一体化技术是面向6g的关键技术之一，赋能6g网络从传递信息到感知世界的重大变化。为推动通感一体化技术的发展，轻量化、薄型化、小型化、多功能的射频前端微系统需求变得日益迫切。传统的二维集成技术已不能满足系统对体积、重量的严苛要求，系统集成设计师开始越来越多转向三维集成(3d integration)、系统级集成(systeminpackage)等技术，将射频前端微系统进行高密度集成，实现多通道、多频段、多信号的数模混合集成电路，并且可拼接、积木化的方式实现更大规模的通感一体化系统。但与此同时，随着模拟/射频电路的工作频率朝着毫米波、太赫兹方向提升以及高速数字电路工作速率的不断加快，由三维异构封装高集成引发的电磁耦合问题严重。封装内部不同功能芯片之间的信号完整性(signal integrity,si)、电源完整性(power integrity,pi)、电磁干扰(electromagnetic interference,e...
【技术保护点】
1.一种电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：盖板和埋置基板；
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，每个芯片埋置槽的底部与多个TSV孔连通。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，板体层采用硅晶圆制成，板体层的厚度范围在50～200μm之间，第一金属层的厚度在1～2μm之间，围堰焊层的厚度范围在30～80μm；
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，相邻的两个芯片埋置槽的第二金属层电连接，再布线层覆盖位于衬底层的顶面上的第二金属层；
5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，衬底层...
【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：盖板和埋置基板；
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，每个芯片埋置槽的底部与多个tsv孔连通。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，板体层采用硅晶圆制成，板体层的厚度范围在50～200μm之间，第一金属层的厚度在1～2μm之间，围堰焊层的厚度范围在30～80μm；
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，相邻的两个芯片埋置槽的第二金属层电连接，再布线层覆盖位于衬底层的顶面上的第二金属层；
5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，衬底层的底面还设有阻焊层，衬底层的底面上还设有多个与金属连接柱电连接的背面焊盘，阻焊层对应背面焊盘的位置设有镂空的露出区，背面焊盘通过露出区暴露至外界，背面焊盘上焊接有bga球；其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡元奎，郭育华，邹顺，王强文，王玉山，王运龙，刘勇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。