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本发明公开了一种多通道深腔埋置集成微系统及其制作方法和电磁屏蔽结构,盖板包括板体层、设置在板体层的底面的第一金属层和设置在第一金属层的底面的外围的围堰焊层;埋置基板包括开设有多个TSV孔和多个顶面敞口的芯片埋置槽的衬底层、设置在衬底层的顶面...该专利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第三十八研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种多通道深腔埋置集成微系统及其制作方法和电磁屏蔽结构,盖板包括板体层、设置在板体层的底面的第一金属层和设置在第一金属层的底面的外围的围堰焊层;埋置基板包括开设有多个TSV孔和多个顶面敞口的芯片埋置槽的衬底层、设置在衬底层的顶面...