【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电池材料领域,特别涉及一种泡沫镍支撑ni/tio2@cds-ni3s2光电极材料及其制备方法和在光充电锂离子电池中的应用。
技术介绍
1、太阳能因其丰富性和清洁性被认为是最具发展潜力的可再生能源之一,探索和发展高效太阳能转换与利用技术可推动太阳能的大规模应用,缓解化石能源危机。然而,由于太阳辐射的间歇性和不稳定性,传统太阳能电池无法满足连续供能需求。因此,将太阳能电池与二次储能电池结合而成的光充电电池应运而生。光充电电池可将太阳能直接转化为电能,同时将电能以化学能的形式存储,从而实现连续供电的技术目标。因此,高效光充电电池的开发对推动光电转化-储能技术的发展和实际应用具有重要的科学意义和研究价值。光电极是赋予二次电池光响应功能的重要部件之一,开发兼具能量转化与储存作用的双功能光电极是提高光充电电池整体效率的关键。
技术实现思路
1、为了克服上述现有技术的缺点与不足,本专利技术的首要目的在于提供一种具有异质结结构的泡沫镍支撑ni/tio2@cds-ni3s2光电极材料的制备方法
...【技术保护点】
1.一种泡沫镍支撑Ni/TiO2@CdS-Ni3S2光电极材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的泡沫镍支撑Ni/TiO2@CdS-Ni3S2光电极材料的制备方法,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的泡沫镍支撑Ni/TiO2@CdS-Ni3S2光电极材料的制备方法,其特征在于:
4.根据权利要求1所述的泡沫镍支撑Ni/TiO2@CdS-Ni3S2光电极材料的制备方法,其特征在于:
5.根据权利要求1所述的泡沫镍支撑Ni/TiO2@CdS-Ni3S2光电极材料的制备方法,其特征在于:
【技术特征摘要】
1.一种泡沫镍支撑ni/tio2@cds-ni3s2光电极材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的泡沫镍支撑ni/tio2@cds-ni3s2光电极材料的制备方法,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的泡沫镍支撑ni/tio2@cds-ni3s2光电极材料的制备方法,其特征在于:
4.根据权利要求1所述的泡沫镍支撑ni/tio2@cds-ni3s2光电极材料的制备方法,其特征在于:
5.根据权利要求1所述的泡沫镍支撑ni/tio2@cds-ni3s2光电极材料的制备方法,其特征在于:
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【专利技术属性】
技术研发人员:杨思源,杨甜珍,张扬,李锡桂,张声森,高琼芝,蔡欣,方岳平,
申请(专利权)人:华南农业大学,
类型:发明
国别省市:
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