【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于in组分调控ingan的增强型gan功率器件，属于半导体器件。
技术介绍
1、电力电子器件中，能效和功率密度是最为关键的两项指标。随着半导体技术的发展，传统的si基器件的性能提升已经十分接近si的物理极限，si基器件的能效和功率密度已难以再有显著突破。而由于具有高禁带宽度、高电子迁移率、高输出功率密度、低开关功率损耗等优点，gan材料以及gan器件受到了广泛的关注。其中algan/gan hemt器件在大功率和射频开关领域效果显著。
2、一个gan hemt器件，包括具有至少两个氮化物层的氮化物半导体。不同材料的氮化物接触会产生极化，可以在两层的交界处的异质结附近形成导电的二维电子气（2deg）区域，特别是在具有较窄带隙的层中。2deg存在于异质结之间，所以存在电流流动。为了实现常关器件，必须移除或耗尽2deg的一部分。常规的gan hemt器件是常开型的，在栅偏压为0v时器件是开启状态，必须给栅极施加负偏压才能关断。为了将hemt应用到大功率开关系统中，必须实现常关的增强型hemt器件，以降低关断状态...
【技术保护点】
1.一种基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，所述势垒层两侧GaN沟道层上方分别设置有源电极和漏电极，所述势垒层上方在源电极和漏电极之间依次设置有钝化层、栅电极和钝化层，所述栅电极下方与势垒层之间设置有In组分阶梯式变化的p-InGaN栅极结构层。
2.根据权利要求1所述的基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件，其特征在于，所述p-InGaN栅极结构层由1~3个p-InGaN组合层自下而上堆叠构成；
3.根据权利要求1所述的基于In组分调控InGaN的增强型G...
【技术特征摘要】
1.一种基于in组分调控ingan的增强型gan功率器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、缓冲层、gan沟道层和势垒层，所述势垒层两侧gan沟道层上方分别设置有源电极和漏电极，所述势垒层上方在源电极和漏电极之间依次设置有钝化层、栅电极和钝化层，所述栅电极下方与势垒层之间设置有in组分阶梯式变化的p-ingan栅极结构层。
2.根据权利要求1所述的基于in组分调控ingan的增强型gan功率器件，其特征在于，所述p-ingan栅极结构层由1~3个p-ingan组合层自下而上堆叠构成；
3.根据权利要求1所述的基于in组分调控ingan的增强型gan功率器件，其特征在于，x取值为0.1~0.25。
4.根据权利要求3所述的基于in组分调控ingan的增强型gan功率器件，其特征在于，每一p-ingan层的厚度为2nm~3nm。
5.根据权利要求4所述的基于in组分调控ingan的增强型gan功率器件，其特征在于，所述p-ingan栅极结...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔鹏，孙久继，韩吉胜，汉多科·林纳威赫，徐现刚，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：
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