【技术实现步骤摘要】
本公开涉及刻蚀治具,尤其涉及一种图形化刻蚀治具。
技术介绍
1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之ic产品。晶圆中的电路制作是利用图形衬底实现的,采用光刻胶在蓝宝石衬底做周期性排列的小图形,再利用增强耦合等离子体干法刻蚀技术,将次光刻胶转移至蓝宝石衬底上。
2、目前刻蚀采用的治具是铝盘上盖与底托采用螺丝固定,但是上盖的螺丝孔位置厚度不够,随着刻蚀加工次数的增多,该位置会被提前刻穿,进而影响治具的气密性,铝盘上盖提前报废,增加了刻蚀成本。cn217588895u公开的一种承载治具及刻蚀设备,在
技术介绍
部分中公开了在对晶圆进行刻蚀的过程中,通常采用的承载治具,其包括承载装置及装载在承载装置内的组合盘,组合盘包括下盘、上盘和介于下盘及上盘之间的密封圈(未画出)。上盘盖合在下盘上,再通过承载装置压紧后整体翻转组合盘,通过螺钉锁紧上盘和下盘,以使固定晶圆。其螺钉锁紧上盘和下盘时,螺孔位置厚度不够,极易报废。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种图形化刻蚀治具,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,所述补强部(22)具有预设直径和预设厚度;
3.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,包括设置于所述第一盘体(1)的第一定位部(12)以及设置于所述第二盘体(2)的第二定位部(23);
4.根据权利要求3所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,所述第一定位部(12)包括定位凸起,所述第二定位部(23)包括定位通槽;
5.根据权利要求4所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,所述定位凸起包括第一定位体(121)和第二定位体(122
6...
【技术特征摘要】
1.一种图形化刻蚀治具,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,所述补强部(22)具有预设直径和预设厚度;
3.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,包括设置于所述第一盘体(1)的第一定位部(12)以及设置于所述第二盘体(2)的第二定位部(23);
4.根据权利要求3所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,所述第一定位部(12)包括定位凸起,所述第二定位部(23)包括定位通槽;
5.根据权利要求4所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,所述定位凸起包括第一定位体(121)和第二定位体(122);
6.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具,其特征在于,所述第一盘体(1)沿其周向外侧壁设置有第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐守波,李孟轩,林宏达,翟虎,
申请(专利权)人:浙江丽晖智能装备有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。