一种光通信的LED半导体装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光通信的LED半导体装置及其制备方法，该LED半导体装置包括：基底；第一电极，该第一电极沿第一方向设置于基底上；发光二极管堆叠结构，该发光二级管堆叠结构位于第一电极上；绝缘材料层，该绝缘材料层位于基底和第一电极上，且包裹发光二极管的侧面，绝缘材料层上表面的高度高于发光二极管上表面的高度；第二电极，该第二电极沿第二方向沉积在绝缘材料层和发光二极管堆叠结构的上表面，所述第二方向与第一方向不平行。该LED半导体装置具有较高的响应速度、发光效率和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种光通信的led半导体装置及其制备方法。

技术介绍

1、光通信技术是一种以可见光或者红外光等不可见光作为传输媒质的新兴通信技术，具有丰富且无需授权的频谱资源、通信带宽大、无常规电磁辐射和节能环保等优势，成为了一种新兴的无线光通信技术。

2、可见光led理论上能够以很高频率切换明灭状态，相当于高速输出1或0的数据，同时还具有兼顾照明、能耗很低等优点，因此具有光通信应用前景。目前常见的可见光led主要以照明、显示为设计目的，其结构可简化为“阳极/多层半导体薄膜/阴极”的堆叠结构，具有平板电容器的特征。

3、公开号为cn112635512a的专利技术申请公开了一种可见光通信led器件，通过将多个微阵列可单独寻址的led芯片集成在一起，多个led芯片分成不同光色的led芯片区域，利用不同区域的芯片明暗交替，来实现信号识别的。led器件由r、g、b区和白光区四个部分的芯片组成，r、g、b区分别为红色、绿色、蓝色的n×n微阵列led阵列芯片，单个芯片尺寸限制在100-200um之间，具有优越调制特性；白光区为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光通信的LED半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光通信的LED半导体装置，其特征在于，所述第二方向垂直于所述第一方向。

3.根据权利要求1所述的光通信的LED半导体装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的投影重叠面积为0.0016 mm2至0.25mm2。

4.根据权利要求3所述的光通信的LED半导体装置，其特征在于，所述发光二极管堆叠结构的宽度为dl，所述第一电极的宽度为d1，所述第二电极的宽度为d2，其中0.01mm≤（d1-dl）≤0.2mm，并且0.01mm≤（d2- dl）≤0.2mm。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种光通信的led半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光通信的led半导体装置，其特征在于，所述第二方向垂直于所述第一方向。

3.根据权利要求1所述的光通信的led半导体装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的投影重叠面积为0.0016 mm2至0.25mm2。

4.根据权利要求3所述的光通信的led半导体装置，其特征在于，所述发光二极管堆叠结构的宽度为dl，所述第一电极的宽度为d1，所述第二电极的宽度为d2，其中0.01mm≤（d1-dl）≤0.2mm，并且0.01mm≤（d2- dl）≤0.2mm。

5.根据权利要求3所述的光通信的led半导体装置，其特征在于，所述绝缘材料层上表面与发光二极管堆叠结构上表面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金一政，鲁修远，邓云洲，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：