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本发明公开了一种光通信的LED半导体装置及其制备方法，该LED半导体装置包括：基底；第一电极，该第一电极沿第一方向设置于基底上；发光二极管堆叠结构，该发光二级管堆叠结构位于第一电极上；绝缘材料层，该绝缘材料层位于基底和第一电极上，且包裹发光...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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